Продукція > NTD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTD6N15
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6N40MotorolaDescription: TRANS MOSFET N-CH 400V 6A 3-PIN(
Packaging: Bulk
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6N40onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 7699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6N40-001onsemiDescription: NFET DPAK 400V 1.1R
Packaging: Bulk
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+93.98 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6N40-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD6N40-001 - NFET DPAK 400V 1.1R
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
282+93.48 грн
Мінімальне замовлення: 282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6N40-001-MOMotorolaDescription: NFET DPAK 400V 1.1R
Packaging: Bulk
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+93.98 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6N40T4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD6N40T4 - 6A, 400V, 1.1OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6N40T4onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 888 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6P10E
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03RONSEMIDescription: ONSEMI - NTD70N03R - NTD70N03R, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2475+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 2475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
на замовлення 45125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1397+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 1397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03RON07+ SOT-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03RonsemiMOSFETs 25V 75A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
на замовлення 4541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1397+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 1397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03R-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD70N03R-001 - NTD70N03R-001, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2475+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 2475 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03R-1ON0642+
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03R-1onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 10125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1397+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 1397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03R-1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD70N03R-1 - NTD70N03R-1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2466+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 2466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03R-1G
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03R-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD70N03R-1G - NTD70N03R-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 141782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
на замовлення 141782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03RGONSEMIDescription: ONSEMI - NTD70N03RG - NTD70N03RG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1950+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 1950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03RG
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
на замовлення 8591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
на замовлення 35298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03RT4
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03RT4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD70N03RT4 - NTD70N03RT4, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
на замовлення 782057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03RT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD70N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 72 A, 0.0056 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 782057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1333 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03RT4G
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03T4ON05+
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03T4G
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD70N03TR4ON07+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD75N03RT4G
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03-001ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03-035onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A IPAK
на замовлення 7090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03-1G
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 12 V
на замовлення 201063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 1158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03-35G0N0626+
на замовлення 696 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03-35G(транзистор)
Код товару: 46086
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
УКТЗЕД: 8542 31 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03G
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03NT4G
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03R-001onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1519+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 1519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03R-035onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1519+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 1519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03R-035ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD78N03R-035 - NTD78N03R-035, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1725+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 1725 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03R-1GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+29.38 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03R-35GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1519+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 1519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03RGonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1575+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 1575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03RT4
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03RT4G
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03T4ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A DPAK
на замовлення 268899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03T4G
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD8-MINI-13MDescription: NOTED BY POST-IT, MINI NOTES, MI
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD8-PEN-23MDescription: NOTED BY POST-IT BRAND NTD8-PEN-
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD80N02onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD80N02ON07+ SOT-252
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD80N02-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 514653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+33.57 грн
Мінімальне замовлення: 666 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD80N02-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD80N02-001 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 526735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD80N02-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD80N02-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD80N02-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD80N02-1G - NTD80N02-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 58655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1350+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 1350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD80N02-1GON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD80N02-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 58655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+20.14 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD80N02GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD80N02GonsemiMOSFET 24V 80A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD80N02GONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD80N02RONSOT-252
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD80N02RT4G
на замовлення 12368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD80N02T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 22103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1902+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 1902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD80N02T4ONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD80N02T4ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD80N02T4 - NTD80N02T4, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD80N02T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD80N02T4(транзистор)
Код товару: 83230
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD80N02T4GON07+;
на замовлення 283500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD80N02T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD85N02
на замовлення 7464 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD85N02RON07+ SOT-252
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD85N02RonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 12A/85A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD85N02R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 12A/85A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD85N02R-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD85N02R-001 - NTD85N02R-001, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 37921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2025+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 2025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD85N02R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 12A/85A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 20 V
на замовлення 37921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD85N02R-001ONTO252
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD85N02R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 24V 12A/85A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD85N02R-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD85N02R-1G - NTD85N02R-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 246305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]