Продукція > ONSEMI > NTD80N02-1G
NTD80N02-1G

NTD80N02-1G onsemi

ntd80n02-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
на замовлення 58655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1110+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 1110
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD80N02-1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 24V 80A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: I-PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V.

Інші пропозиції NTD80N02-1G за ціною від 19.97 грн до 19.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTD80N02-1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013296127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD80N02-1G - NTD80N02-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 58655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1350+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 1350
NTD80N02-1G Виробник : ON ntd80n02-d.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD80N02-1G Виробник : ON ntd80n02-d.pdf 09+
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD80N02-1G NTD80N02-1G Виробник : onsemi ntd80n02-d.pdf Description: MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
товар відсутній