Продукція > BC8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC858AW-G | Comchip Technology | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AW-G | Comchip Technology | Bipolar Transistors - BJT -30, -.1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AW-G | Comchip Technology | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2.2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AW-G | Comchip Technology | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AW-HF | Comchip Technology | Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 30V 100MA SOT323 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AW-HF | Comchip Technology | Description: TRANS PNP 30V 100MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AW-HF | Comchip Technology | General Purpose Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AW-R1-00001 | Panjit | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AW-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AW-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP SIGNAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AWHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP SIGNAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AWHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AWHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AWQ | Yangjie Electronic Technology | BC858AWQ | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858AWQ | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858AWT1 | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858AWT1 | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 27000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AWT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858AWT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC858AWT1 - TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858AWT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 6340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858AWT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW | на замовлення 98380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858AWT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AWT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC858AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 6340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858AWT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858AWT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP | на замовлення 10680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858AWT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Frequency: 100MHz Current gain: 125...250 Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AWT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AW_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA SOT-323 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AW_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AW_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AW_R1_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AW_R2_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858AW_R2_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858A_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858A_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858A_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858A_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA SOT-23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 34 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858A_R1_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858A_R2_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858A_R2_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-30V IC-100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 290 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | на замовлення 521 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858B Код товару: 88569
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 fT: 150 MHz Uке, В: 30 V Uкб, В: 30 V Iк, А: 0,1 A h21,max: 150 | у наявності: 772 шт
|
| |||||||||||||||
| BC858B | Rectron | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 225mW 3-Pin SOT-23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B | JUXING | Transistor PNP; 475; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC858B,215; BC858B,235; BC858BLT1G; BC858BLT3G; BC858BE6327HTSA1; BC858BE6433HTMA1; BC858B RFG; BC858B-7-F; BC858B-TP; BC858B_R1_00001; BC858B JUXING TBC858b JUX кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858B | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B | Yangzhou Yangjie Electronic | Транзистор: PNP, біполярний, 30В, 0,1А, 250мВт, SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 8893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858B | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC858B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 55 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858B | REALCHIP | Tranzystor PNP; 475; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BC858B SOT23-3(T/R) RealChip TBC858b REA кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858B | MIC | Tranzystor PNP; 475; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC858B-CDI; BC858B,215; BC858B TBC858B c кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 15000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858B | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 30V 200MW 220@2MA,5V 100MA PNP S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B Код товару: 122728
Додати до обраних
Обраний товар
| Hottech | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 fT: 250 MHz Uке, В: 30 V Uкб, В: 30 V Iк, А: 0,1 A h21,max: 480 | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| BC858B | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B | NXP | Transistor PNP; 475; 250mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: BC848B; BC858B E6433; BC858B-7-F; BC858B E6327; BC858B,235; BC858B, BC858B,215 TBC858b кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 8198 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858B | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Transistor 200mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BC858B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858B | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858B | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B | MOT- | Transistor PNP; 475; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement for: BC856B; MOT858C; MOT858C SOT23-3 MOT TBC858b MOT кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858B | Rectron | Bipolar Transistors - BJT SOT23,PNP,0.1A,30V,220-475HFE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B | Diotec Semiconductor | Транзистор PNP, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 290 @ 5 В, 2 мА, Icutoff-max = 15 нА, Опис Транзистор PNP, Р, Вт = 0.25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 84 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858B | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858B | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC858B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B | HOTTECH | Tranzystor PNP; 475; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC858B-CDI; BC858B,215; BC858B TBC858B c кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858B | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP | на замовлення 5915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858B | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 30V 200MW 220@2MA,5V 100MA PNP S | на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858B | Diotec | Транзистор: PNP, біполярний, 30В, 0,1А, 250мВт, SOT23 Транзистори | на замовлення 15 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858B /T3 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-11 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B RF | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT -30V, -0.1A, PNP Bipolar Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 8970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858B RFG | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT -30V, -0.1A, PNP Bipolar Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858B RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B T/R | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B TR PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 30Vebo 30Vceo 5.0Vebo 100mA 350mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B TR PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 100MA 330MW SMD TRANSISTOR-S Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC858B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC858 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC858B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC858 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B,215 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B,215 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC858B/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B,215 | NXP | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B,235 | NXP | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC858B,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B,235 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: 11 inch reel; tape Pulsed collector current: 0.2A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC858B/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B,235 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC858B,235 - TRANSISTOR, BIPOLAR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC858B,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

