BC858BWT1G ON Semiconductor
на замовлення 13140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 817+ | 0.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC858BWT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BC858BWT1G за ціною від 1.21 грн до 14.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC858BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC858BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC858BWT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC858BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC858BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC858BWT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC858BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC858BWT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 50939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC858BWT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP |
на замовлення 8972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC858BWT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC858BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 13140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| BC858BWT1G | Виробник : ON |
07+; |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
| BC858BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1362 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
 |
BC858BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
BC858BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
BC858BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |