Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC858BWT1G
BC858BWT1G

BC858BWT1G ON Semiconductor

bc856bwt1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
817+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 817 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC858BWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC858BWT1G за ціною від 1.03 грн до 12.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BC858BWT1G BC858BWT1G ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18293+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 18293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7076+2.00 грн
8621+1.64 грн
9616+1.47 грн
11628+1.17 грн
15000+1.08 грн
30000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 7076 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+7.69 грн
164+4.62 грн
165+4.57 грн
265+2.75 грн
281+2.40 грн
500+1.71 грн
1000+1.41 грн
3000+1.26 грн
6000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G ONSEMI BC856BWT1-D.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.71 грн
53+7.96 грн
60+6.96 грн
104+4.00 грн
250+3.25 грн
500+2.82 грн
1000+2.46 грн
3000+2.04 грн
6000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G onsemi BC856BWT1-D.PDF Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.62 грн
44+6.94 грн
100+4.26 грн
500+2.90 грн
1000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+11.73 грн
115+7.05 грн
185+4.36 грн
500+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.73 грн
115+7.05 грн
185+4.36 грн
500+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G onsemi BC856BWT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.46 грн
44+7.37 грн
100+4.00 грн
500+2.89 грн
1000+2.55 грн
3000+2.48 грн
6000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G ON BC856BWT1-D.PDF 07+;
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G bc856bwt1-d.pdf
BC858BWT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18293+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 18293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G bc856bwt1-d.pdf
BC858BWT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7076+2.00 грн
8621+1.64 грн
9616+1.47 грн
11628+1.17 грн
15000+1.08 грн
30000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 7076 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G bc856bwt1-d.pdf
BC858BWT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
99+7.69 грн
164+4.62 грн
165+4.57 грн
265+2.75 грн
281+2.40 грн
500+1.71 грн
1000+1.41 грн
3000+1.26 грн
6000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC856BWT1-D.PDF
BC858BWT1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
42+10.71 грн
53+7.96 грн
60+6.96 грн
104+4.00 грн
250+3.25 грн
500+2.82 грн
1000+2.46 грн
3000+2.04 грн
6000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC856BWT1-D.PDF
BC858BWT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+11.62 грн
44+6.94 грн
100+4.26 грн
500+2.90 грн
1000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC858BWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
69+11.73 грн
115+7.05 грн
185+4.36 грн
500+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC858BWT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+11.73 грн
115+7.05 грн
185+4.36 грн
500+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC856BWT1-D.PDF
BC858BWT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
26+12.46 грн
44+7.37 грн
100+4.00 грн
500+2.89 грн
1000+2.55 грн
3000+2.48 грн
6000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G bc856bwt1-d.pdf
BC858BWT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 589 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC856BWT1-D.PDF
Виробник: ON
07+;
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.