Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC858BWT1G
BC858BWT1G

BC858BWT1G ON Semiconductor

bc856bwt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
817+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 817
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC858BWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BC858BWT1G за ціною від 1.01 грн до 13.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9147+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 9147
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.31 грн
6000+1.98 грн
9000+1.85 грн
15000+1.61 грн
21000+1.53 грн
30000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13275+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 13275
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5068+2.41 грн
6000+2.08 грн
9000+1.73 грн
24000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 5068
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.59 грн
6000+2.22 грн
9000+1.85 грн
24000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2930+4.17 грн
4077+3.00 грн
5137+2.38 грн
6025+1.96 грн
7937+1.38 грн
15000+1.10 грн
30000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 2930
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : onsemi bc856bwt1-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 50939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.24 грн
46+6.92 грн
100+4.24 грн
500+2.89 грн
1000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+12.77 грн
95+7.38 грн
155+4.36 грн
250+3.99 грн
500+2.76 грн
1000+2.19 грн
3000+1.86 грн
6000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : onsemi BC856BWT1_D-1387643.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP
на замовлення 8973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.47 грн
44+7.98 грн
100+4.30 грн
500+3.09 грн
1000+2.64 грн
3000+2.19 грн
6000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013684673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC858BWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+13.71 грн
106+8.00 грн
175+4.85 грн
500+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G Виробник : ON bc856bwt1-d.pdf 07+;
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ON Semiconductor bc856bwt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWT1G BC858BWT1G Виробник : ONSEMI bc856bwt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.