Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 5 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 25 30 35 40 45 50 54  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BUK760730B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK760755B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-40BNexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK7608-55A - POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-40B /T3NXP SemiconductorsMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-40B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 101A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+104.94 грн
500+94.44 грн
1000+87.09 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-40B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7608-40B,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-40B,118NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2689 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-40B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 101A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
438+80.89 грн
500+77.45 грн
1000+73.15 грн
Мінімальне замовлення: 438 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2689 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-55PHITO263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-55NexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-55,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-55ANexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-55ANEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7608-55A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.008 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 254
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 254
Bauform - Transistor: SOT-404
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-55A
Код товару: 121511
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4352 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 0 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 126A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+102.36 грн
500+98.01 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-55A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7608-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 254
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4352 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 0 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 0 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4352 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+72.19 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 126A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+102.36 грн
500+98.01 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7608-55A,118NexperiaMOSFETs TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK760840B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK760855
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK760855A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7609-55A,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3271 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 0 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7609-55A,118NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 108A 3pin(3+Tab)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7609-55A,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3271 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 0 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7609-75ANexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7609-75APHILIPS
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7609-75A /T3NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7609-75A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7609-75A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7609-75A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK760955A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK760975A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7610-100B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+264.01 грн
500+249.87 грн
1000+236.90 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7610-100B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+264.01 грн
500+249.87 грн
1000+236.90 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7610-100B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6773 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7610-100B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+264.01 грн
500+249.87 грн
1000+236.90 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7610-100B,118NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7610-100B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7610-100B,118 - MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7610-55ALNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7610-55AL,118NexperiaMOSFETs BUK7610-55AL/SOT404/D2PAK
на замовлення 4641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7610-55AL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+97.20 грн
1600+87.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7610-55AL,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7610-55AL,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7610-55AL,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 122A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+140.26 грн
500+133.18 грн
1000+124.93 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7610-55AL,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 490A; 300W
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 490A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 124nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 75A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7610-55AL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.20 грн
10+171.19 грн
100+120.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7610100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK761030
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK761055AL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7611-55A
на замовлення 765 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7611-55ANexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7611-55A /T3NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7611-55A,118NXPD2PAK, N-CH, 55V, 75A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7611-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+79.40 грн
500+71.46 грн
1000+65.91 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7611-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3093 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7611-55A,118
Код товару: 89059
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7611-55A,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
604+58.60 грн
1000+55.35 грн
Мінімальне замовлення: 604 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7611-55A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7611-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3093 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7611-55A/C1,118NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7611-55BNexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7611-55B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7611-55B,118 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7611-55B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2604 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+120.50 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7611-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 84A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+63.18 грн
1000+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7611-55B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2604 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7611-55B,118NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7611-55B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 84A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+85.61 грн
500+77.04 грн
Мінімальне замовлення: 414 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK761155A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK761155B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 72A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+105.45 грн
500+100.97 грн
1000+95.36 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-100E,118NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-100E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4533 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.52 грн
10+141.75 грн
100+98.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 72A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+105.45 грн
500+100.97 грн
1000+95.36 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-100E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7613-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 72 A, 0.0102 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 182W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-100E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4533 pF @ 20 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.22 грн
1600+69.99 грн
2400+67.28 грн
4000+60.27 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-60E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK7613-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 58 A, 9440 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9440µohm
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-60E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 41A; Idm: 234A; 96W
On-state resistance: 28.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 234A
Power dissipation: 96W
Gate charge: 22.9nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 41A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.74 грн
10+121.82 грн
50+92.46 грн
100+77.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-60E,118NexperiaMOSFETs BUK7613-60E/SOT404/D2PAK
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.07 грн
1600+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-60E118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK7613-60E - POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-75BNXP SemiconductorsMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-75B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2644 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-75B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2644 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-75B,118NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-75B118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK7613-75 - POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK761375B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7614-30
на замовлення 822 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7614-55NexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7614-55 /T3NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7614-55,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 68A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7614-55,118NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7614-55/C1,118NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7614-55A
Код товару: 117047
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7614-55ANexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 5 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 25 30 35 40 45 50 54  Наступна Сторінка >> ]