Продукція > BUK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7607-55B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3760 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 203W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7607-55B,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7607-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 75 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 203 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 203 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7607-55B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 119A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 46400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK760730B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK760755B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7608-40B | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BUK7608-55A - POWER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7608-40B /T3 | NXP Semiconductors | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7608-40B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 101A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 9196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7608-40B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2689 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7608-40B,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 40V 101A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7608-40B,118 | Nexperia | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | на замовлення 4395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7608-40B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2689 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7608-40B,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7608-40B,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7608-55 | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7608-55 | PHI | TO263 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7608-55,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7608-55A | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7608-55A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.008 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 75 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 254 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 254 Bauform - Transistor: SOT-404 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7608-55A Код товару: 121511
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUK7608-55A | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7608-55A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 126A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7608-55A,118 | Nexperia | MOSFETs TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7608-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4352 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 0 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7608-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 0 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4352 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7608-55A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 126A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7608-55A,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7608-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 254 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7608-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4352 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 0 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK760840B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK760855 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK760855A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7609-55A,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3271 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 0 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7609-55A,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3271 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 0 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7609-55A,118 | Nexperia | MOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 108A 3pin(3+Tab) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7609-75A | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7609-75A | PHILIPS | на замовлення 165000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUK7609-75A /T3 | NXP Semiconductors | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7609-75A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7609-75A,118 | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7609-75A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK760955A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK760975A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7610-100B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 7777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7610-100B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6773 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7610-100B,118 | Nexperia | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | на замовлення 71 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7610-100B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 9097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7610-100B,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7610-100B,118 - MOSFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7610-100B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6773 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7610-100B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7610-55AL | Nexperia | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7610-55AL,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7610-55AL,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7610-55AL,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7610-55AL,118 | Nexperia | MOSFETs BUK7610-55AL/SOT404/D2PAK | на замовлення 4641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7610-55AL,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 122A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7610-55AL,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7610-55AL,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; Idm: 490A; 300W Polarisation: unipolar Gate charge: 124nC On-state resistance: 20mΩ Drain current: 75A Power dissipation: 300W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 490A Application: automotive industry Drain-source voltage: 55V Case: D2PAK; SOT404 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7610100B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK761030 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK761055AL | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7611-55A | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7611-55A | на замовлення 765 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7611-55A /T3 | NXP Semiconductors | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7611-55A,118 Код товару: 89059
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BUK7611-55A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7611-55A,118 | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | на замовлення 907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7611-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 166W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3093 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7611-55A,118 | NXP | D2PAK, N-CH, 55V, 75A Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7611-55A,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 55V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7611-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3093 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 166W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7611-55A/C1,118 | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7611-55B | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7611-55B,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 55V 84A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7611-55B,118 | Nexperia | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7611-55B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2604 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7611-55B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 84A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7611-55B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2604 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7611-55B,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7611-55B,118 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK761155A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK761155B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7613-100E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 72A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7613-100E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 182W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4533 pF @ 20 V | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7613-100E,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7613-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 72 A, 0.0102 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 182W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 182W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 1928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7613-100E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 72A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7613-100E,118 | Nexperia | MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7613-100E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4533 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 182W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 6320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7613-60E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7613-60E,118 | Nexperia | MOSFETs BUK7613-60E/SOT404/D2PAK | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7613-60E,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 41A; Idm: 234A; 96W Polarisation: unipolar Gate charge: 22.9nC On-state resistance: 28.2mΩ Drain current: 41A Power dissipation: 96W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 234A Application: automotive industry Drain-source voltage: 60V Case: D2PAK; SOT404 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7613-60E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7613-60E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7613-60E,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7613-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 58 A, 9440 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 96W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9440µohm | на замовлення 4798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK7613-60E118 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BUK7613-60E - POWER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7613-75B | NXP Semiconductors | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7613-75B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2644 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7613-75B,118 | Nexperia | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7613-75B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2644 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7613-75B118 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BUK7613-75 - POWER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK761375B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7614-30 | на замовлення 822 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK7614-55 | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7614-55 /T3 | NXP Semiconductors | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK7614-55,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 68A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

