Продукція > NEXPERIA USA INC. > BUK7613-100E,118
BUK7613-100E,118

BUK7613-100E,118 Nexperia USA Inc.

BUK7613-100E.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4533 pF @ 20 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+77.50 грн
1600+69.35 грн
2400+66.66 грн
4000+59.72 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK7613-100E,118 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK7613-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 72 A, 0.0102 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 182W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 182W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції BUK7613-100E,118 за ціною від 95.57 грн до 224.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BUK7613-100E,118 BUK7613-100E,118 Nexperia 3006212695341688buk7613-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 72A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+105.69 грн
500+101.19 грн
1000+95.57 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-100E,118 BUK7613-100E,118 Nexperia 3006212695341688buk7613-100e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 72A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+105.69 грн
500+101.19 грн
1000+95.57 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-100E,118 BUK7613-100E,118 Nexperia USA Inc. BUK7613-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4533 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.45 грн
10+140.45 грн
100+97.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-100E,118 BUK7613-100E,118 Nexperia BUK7613-100E.pdf MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-100E,118 BUK7613-100E,118 NEXPERIA BUK7613-100E.pdf Description: NEXPERIA - BUK7613-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 72 A, 0.0102 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 182W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-100E,118 3006212695341688buk7613-100e.pdf
BUK7613-100E,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 72A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
336+105.69 грн
500+101.19 грн
1000+95.57 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-100E,118 3006212695341688buk7613-100e.pdf
BUK7613-100E,118
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 72A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
336+105.69 грн
500+101.19 грн
1000+95.57 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-100E,118 BUK7613-100E.pdf
BUK7613-100E,118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4533 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+224.45 грн
10+140.45 грн
100+97.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-100E,118 BUK7613-100E.pdf
BUK7613-100E,118
Виробник: Nexperia
MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7613-100E,118 BUK7613-100E.pdf
BUK7613-100E,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7613-100E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 72 A, 0.0102 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 182W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.