Продукція > IXD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXDN75N120 | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V Dauer-Kollektorstrom: 150A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V Verlustleistung Pd: 660W euEccn: NLR Verlustleistung: 660W Bauform - Transistor: SOT-227B Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 150A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IXDN75N120 | Littelfuse | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IXDN75N120 | IXYS | IGBTs 75 Amps 1200V | на замовлення 351 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| IXDN75N120 | Littelfuse | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IXDN75N120 Код товару: 22498
Додати до обраних
Обраний товар
| IXYS | Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDN75N120 | Littelfuse | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| IXDN75N120 | IXYS | Description: IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA Power - Max: 660 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Part Status: Active IGBT Type: NPT Supplier Device Package: SOT-227B NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDNI602D2TR | IXYS Integrated Circuits | Gate Drivers 2-A Dual Low-Side Ultrafast MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDP20N60B | IXYS | Description: IGBT NPT 600V 32A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: NPT Switching Energy: 900µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 300V, 20A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Current - Collector (Ic) (Max): 32 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 140 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDP20N60B | IXYS | IGBT Transistors 20 Amps 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDP20N60BD1 | IXYS | Description: IGBT NPT 600V 32A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: NPT Switching Energy: 900µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 300V, 20A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Current - Collector (Ic) (Max): 32 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 140 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDP20N60BD1 | IXYS | IGBTs 20 Amps 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDP35N60B | IXYS | Description: IGBT NPT 600V 60A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 35A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: NPT Switching Energy: 1.6mJ (on), 800µJ (off) Test Condition: 300V, 35A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDP35N60B | IXYS | IGBT Transistors 35 Amps 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDP610PI | IXYS | Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 18DIP Packaging: Tube Package / Case: 18-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Interface: Microprocessor Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Applications: PWM Motor Controller Supplier Device Package: 18-DIP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDP610PI | IXYS | Switching Controllers Bus Compatibl Digitl PWM Controller | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDP630PI Код товару: 98697
Додати до обраних
Обраний товар
| 8542 39 90 00 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IXDP630PI | IxYs | DIP | на замовлення 440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDP630PI | IXYS | Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers Invrtr Intrfac/Digtl Deadtime Generator | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDP630PIG | IXYS | 09+ | на замовлення 8018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDP631PI | IXYS | Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers Invrtr Intrfac/Digtl Deadtime Generator | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDP631PI | IXYS | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IXDR30N120 | IXYS | IGBT Transistors 30 Amps 1200V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDR30N120 | IXYS | Description: IGBT NPT 1200V 50A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: ISOPLUS247™ IGBT Type: NPT Switching Energy: 4.6mJ (on), 3.4mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 200 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDR30N120D1 | IXYS | Description: IGBT NPT 1200V 50A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30A Supplier Device Package: ISOPLUS247™ IGBT Type: NPT Switching Energy: 4.6mJ (on), 3.4mJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 200 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDR30N120D1 | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IXDR30N120D1 | IXYS | IGBT Transistors 30 Amps 1200V | на замовлення 262 шт: термін постачання 485-494 дні (днів) |
| ||||||||
| IXDR35N120D1 | IXYS | Description: IGBT Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDR35N60BD1 | IGBT 600V 38A W/DIO ISOPLUS247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IXDR35N60BD1 | IXYS | IGBT Transistors 35 Amps 600V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDR35N60BD1 | IXYS | Description: IGBT NPT 600V 38A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 35A Supplier Device Package: ISOPLUS247™ IGBT Type: NPT Switching Energy: 1.6mJ (on), 800µJ (off) Test Condition: 300V, 35A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 140 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 38 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A Power - Max: 125 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDR502D1B | IXYS | Description: IC GATE LS DRVR SGL 2A 6-DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 484 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDS430SI | Мікросхеми драйверів MOSFET/IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IXDS430SI Код товару: 86201
Додати до обраних
Обраний товар
| 8542 39 90 00 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IXDS430SI | IXYS | Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 28SOIC Packaging: Box Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 8.5V ~ 35V Input Type: Inverting, Non-Inverting Supplier Device Package: 28-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 18ns, 16ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 30A, 30A Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDS502D1B | IXYS | Description: IC GATE LS DRVR SGL 2A 6-DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 484 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IXDT30N120 | IXYS | Description: IGBT NPT 1200V 60A TO-268AA Power - Max: 300 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 120 nC IGBT Type: NPT Supplier Device Package: TO-268AA Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. |

