IXDN75N120 IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 660 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.5 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 660 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.5 nF @ 25 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2478.77 грн |
10+ | 2120.71 грн |
100+ | 1854.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXDN75N120 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, Dauer-Kollektorstrom: 150A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V, Verlustleistung Pd: 660W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 660W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 150A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXDN75N120 за ціною від 2686 грн до 2686 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXDN75N120 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V Dauer-Kollektorstrom: 150A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V Verlustleistung Pd: 660W euEccn: NLR Verlustleistung: 660W Bauform - Transistor: SOT-227B Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 150A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
IXDN75N120 Код товару: 22498 |
Виробник : IXYS |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||
IXDN75N120 | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Module N-CH 1200V |
товар відсутній |
||||||
IXDN75N120 | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
||||||
IXDN75N120 | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
||||||
IXDN75N120 | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Module N-CH 1200V |
товар відсутній |
||||||
IXDN75N120 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B Technology: NPT Collector current: 150A Power dissipation: 660W Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 190A Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
IXDN75N120 | Виробник : IXYS | IGBT Transistors 75 Amps 1200V |
товар відсутній |
||||||
IXDN75N120 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B Technology: NPT Collector current: 150A Power dissipation: 660W Case: SOT227B Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 190A Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT |
товар відсутній |