Продукція > IXYS > IXDN75N120
IXDN75N120

IXDN75N120 IXYS

littelfuse-discrete-igbts-ixdn75n120-datasheet?assetguid=48530af2-9a76-4243-8aa2-d1f5b314aa78
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 150A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 660 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.5 nF @ 25 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3272.05 грн
10+2373.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXDN75N120 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, Dauer-Kollektorstrom: 150A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V, Verlustleistung Pd: 660W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 660W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 150A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXDN75N120 за ціною від 2129.59 грн до 3106.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXDN75N120 IXDN75N120 Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2543.94 грн
10+2252.88 грн
50+2230.20 грн
100+2129.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 IXDN75N120 Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2543.94 грн
10+2252.88 грн
50+2230.20 грн
100+2129.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 IXDN75N120 Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3106.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 IXDN75N120 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-NPT-IXDN75N120-Datasheet.PDF IGBTs 75 Amps 1200V
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 IXDN75N120 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595182-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 660W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 media.pdf
IXDN75N120
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2543.94 грн
10+2252.88 грн
50+2230.20 грн
100+2129.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 media.pdf
IXDN75N120
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+2543.94 грн
10+2252.88 грн
50+2230.20 грн
100+2129.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 media.pdf
IXDN75N120
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+3106.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 Littelfuse-Discrete-IGBTs-NPT-IXDN75N120-Datasheet.PDF
IXDN75N120
Виробник: IXYS
IGBTs 75 Amps 1200V
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 IXYS-S-A0008595182-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXDN75N120
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 660W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.