Продукція > IXYS > IXDN75N120
IXDN75N120

IXDN75N120 IXYS

Littelfuse-Discrete-IGBTs-NPT-IXDN75N120-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IGBTs 75 Amps 1200V
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXDN75N120 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, Dauer-Kollektorstrom: 150A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V, Verlustleistung Pd: 660W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 660W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 150A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXDN75N120 за ціною від 2120.13 грн до 3092.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXDN75N120 IXDN75N120 Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2532.63 грн
10+2242.87 грн
50+2220.29 грн
100+2120.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 IXDN75N120 Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2532.63 грн
10+2242.87 грн
50+2220.29 грн
100+2120.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 IXDN75N120 Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3092.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 IXDN75N120 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595182-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 660W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 media.pdf
IXDN75N120
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2532.63 грн
10+2242.87 грн
50+2220.29 грн
100+2120.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 media.pdf
IXDN75N120
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+2532.63 грн
10+2242.87 грн
50+2220.29 грн
100+2120.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 media.pdf
IXDN75N120
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+3092.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 IXYS-S-A0008595182-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXDN75N120
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 660W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.