IXDN75N120

IXDN75N120

Код товара: 22498
Производитель: IXYS
Транзисторы - Полевые N-канальные

IXDN75N120.html
В наличии/под заказ

Техническое описание IXDN75N120

Цена IXDN75N120 от 952.24 грн до 1338.1 грн

IXDN75N120
Производитель: IXYS
Material: IXDN75N120 IGBT modules
IXDN75N120.pdf
под заказ 15 шт
срок поставки 7-14 дня (дней)
1+ 1040.32 грн
2+ 983.73 грн
IXDN75N120
IXDN75N120
Производитель: IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
Base Part Number: IXDN75
Supplier Device Package: SOT-227B
Power - Max: 660W
Current - Collector (Ic) (Max): 150A
Configuration: Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200V
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Packaging: Tube
Manufacturer: IXYS
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: No
Input: Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.5nF @ 25V
Current - Collector Cutoff (Max): 4mA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A
IXDN75N120.pdf
под заказ 273 шт
срок поставки 7-22 дня (дней)
1+ 1338.1 грн
10+ 1233.94 грн
100+ 952.24 грн
IXDN75N120
Производитель:
IXDN75N120 High Voltage IGBT 150A/1200V
IXDN75N120.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IXDN75N120
IXDN75N120
Производитель: Littelfuse
Trans IGBT Module N-CH 1200V
littelfuse_discrete_igbts_npt_ixdn75n120_datasheet.pdf.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IXDN75N120
IXDN75N120
Производитель: IXYS
IGBT Transistors 75 Amps 1200V
ixys_s_a0008595182_1-2272953.pdf
под заказ 50 шт
срок поставки 8-21 дня (дней)
IXDN75N120
Производитель: Littelfuse
Trans IGBT Module N-CH 1200V
IXDN75N120.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IXDN75N120
IXDN75N120
Производитель: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT Module, Single, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B
Transistor Polarity: NPN
Product Range: -
IGBT Technology: NPT IGBT [Standard]
Power Dissipation Pd: 660
Operating Temperature Max: 150
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.2
Junction Temperature Tj Max: 150
DC Collector Current: 150
IGBT Termination: Stud
Transistor Case Style: SOT-227B
No. of Pins: 4
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2
IGBT Configuration: Single
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
IXYS-S-A0008595182-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину