Продукція > LITTELFUSE > IXDN75N120
IXDN75N120

IXDN75N120 Littelfuse

media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2047.97 грн
10+1813.65 грн
50+1795.39 грн
100+1714.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXDN75N120 Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, Dauer-Kollektorstrom: 150A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V, Verlustleistung Pd: 660W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 660W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 150A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXDN75N120 за ціною від 1846.28 грн до 3313.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXDN75N120 IXDN75N120 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+2205.50 грн
10+1953.16 грн
50+1933.50 грн
100+1846.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 IXDN75N120 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+2693.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 IXDN75N120 Виробник : IXYS media-3320351.pdf IGBTs 75 Amps 1200V
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2795.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 IXDN75N120 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595182-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT-Modul, Einfach, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 660W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3052.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 IXDN75N120 Виробник : IXYS Description: IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 660 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.5 nF @ 25 V
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3313.64 грн
10+2402.05 грн
100+2237.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 IXDN75N120
Код товару: 22498
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IXYS IXDN75N120.html Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 IXDN75N120 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 IXDN75N120 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 660W 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_npt_ixdn75n120_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 IXDN75N120 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9888FC4531A0538BF&compId=IXDN75N120.pdf?ci_sign=06ae6ac4014868b47b0ab2941b0edc4f457b8058 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B
Power dissipation: 660W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 190A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN75N120 IXDN75N120 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9888FC4531A0538BF&compId=IXDN75N120.pdf?ci_sign=06ae6ac4014868b47b0ab2941b0edc4f457b8058 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 150A; SOT227B
Power dissipation: 660W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 190A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.