Продукція > BUK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7614-55,118 | NXP Semiconductors | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7614-55/C1,118 | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7614-55A | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7614-55A Код товару: 117047
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| BUK7614-55A /T3 | NXP Semiconductors | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7614-55A,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2464 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7614-55A,118 | Nexperia | MOSFETs TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7614-55A,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2464 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7614-55A,118 | NXP | D2PAK, N-CH, 55V, 73A Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7614-55A/C1,118 | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK761430 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK761455 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK761455A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7615-100A | PHILIPS | TO-263 | на замовлення 635 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7615-100A,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK76150-55A | на замовлення 740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK76150-55A,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 11A D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 322 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7615055A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7615100A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7616-55A,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 65.7A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 138W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK761655A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7618-30 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7618-55 | Nexperia | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7618-55 /T3 | NXP Semiconductors | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7618-55,118 | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7618-55,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 57A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK7618-55,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 57A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 33600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK7618-55,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 57A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7618-55,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 57A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK7618-55/C,118 | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK7618-55/C,118 | NXP Semiconductors | BUK7618-55/C,118 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK761830 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK761855 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7619-100B,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | на замовлення 667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK7619-100B,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7619-100B,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7619-100B,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 100V 64A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK761R3-30E,118 | NXP Semiconductors | Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK761R3-30E,118 | NXP Semiconductors | Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK761R3-30E,118 | NXP Semiconductors | Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK761R4-30E,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK761R4-30E,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 324W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9580 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK761R4-30E,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK761R5-40EJ | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.51mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 349W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK761R6-40E,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 1355A; 349W Polarisation: unipolar Gate charge: 145nC On-state resistance: 3mΩ Drain current: 120A Power dissipation: 349W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1355A Application: automotive industry Drain-source voltage: 40V Case: D2PAK; SOT404 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK761R6-40E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 349W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK761R6-40E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 349W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK761R6-40E,118 | Nexperia | MOSFETs BUK761R6-40E/SOT404/D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK761R6-40E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK761R7-40E,118 | Nexperia | MOSFETs BUK761R7-40E/SOT404/D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK761R7-40E,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK761R7-40E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 324W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK761R7-40E,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 324W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK761R8-30C,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10349 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK761R8-30C,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10349 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK761R8-30C,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10349 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK761R8-30C,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 30V 312A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK7620-100A | на замовлення 625 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7620-100A | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7620-100A,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK7620-100A,118 | NXP | Description: NXP - BUK7620-100A,118 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 21494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK7620-100A,118 | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | на замовлення 2335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK7620-100A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7620-100A,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7620-100A,118 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7620-100A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: NEXPERIA BUK7620 - TRANSISTOR >3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4373 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK7620-55 | NXP | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| BUK7620-55A | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7620-55A | на замовлення 780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7620-55A,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7620-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 54 A, 0.017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Verlustleistung: 118 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017 Qualifikation: AEC-Q101 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7620-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 54A D2PAK Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 118W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1592 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7620-55A,118 | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK7620-55A,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7620-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 54 A, 0.017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 54 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 118 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 118 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7620100A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762055 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762055A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7621-30 | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762130 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7623-75A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 138W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7623-75A,118 | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7623-75A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 138W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK762375A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7624-55 | на замовлення 760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7624-55 | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7624-55,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 45A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 103W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7624-55A,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK762455 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK762455A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7626-100B | PHILIPS | TO-263 | на замовлення 490 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7626-100B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2891 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK7626-100B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2891 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7626-100B,118 | Nexperia | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7626-100B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 49A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK7626100B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BUK7628-100A | PHILIPS | TO-263 | на замовлення 490 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7628-100A,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7628-100A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 47 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 166 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 166 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TrenchMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7628-100A,118 | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7628-100A,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 100V 47A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| BUK7628-100A,118 Код товару: 165500
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| BUK7628-100A,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7628-100A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Verlustleistung: 166 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02 Qualifikation: AEC-Q101 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BUK7628-100A,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

