Продукція > NEXPERIA > BUK761R6-40E,118
BUK761R6-40E,118

BUK761R6-40E,118 NEXPERIA


3012372520698503buk761r6-40e.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUK761R6-40E,118 NEXPERIA

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 349W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11340 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BUK761R6-40E,118

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUK761R6-40E,118 BUK761R6-40E,118 Виробник : Nexperia 3012372520698503buk761r6-40e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK761R6-40E,118 Виробник : NEXPERIA BUK761R6-40E.pdf BUK761R6-40E.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK761R6-40E,118 BUK761R6-40E,118 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK761R6-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK761R6-40E,118 BUK761R6-40E,118 Виробник : Nexperia USA Inc. BUK761R6-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK761R6-40E,118 BUK761R6-40E,118 Виробник : Nexperia BUK761R6-40E.pdf MOSFETs BUK761R6-40E/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.