Продукція > MJD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MJD6039T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 4A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 16525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJD6039T4G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJD6039T4G | On Semiconductor | TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJD6039T4G | onsemi | Darlington Transistors 2A 80V Bipolar Power NPN | на замовлення 16936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJD6039T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJD6039T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJD6039T4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 4A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 15913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJD6039T4G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 10404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJD6039T4G | на замовлення 25200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MJD6039T4G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 1348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJD6039T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJD772 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MJD882 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MJDINA60 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MJDl22 | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MJDl27 | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |