Продукція > ONSEMI > MJD6039T4G
MJD6039T4G

MJD6039T4G onsemi

mjd6039-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.19 грн
5000+21.73 грн
7500+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD6039T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 4A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD6039T4G за ціною від 24.21 грн до 109.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD6039T4G MJD6039T4G ON Semiconductor mjd6039-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+44.07 грн
335+43.84 грн
393+37.28 грн
408+34.63 грн
500+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G ON Semiconductor mjd6039-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.24 грн
18+44.07 грн
25+43.84 грн
100+35.95 грн
250+32.07 грн
500+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G onsemi mjd6039-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.56 грн
10+50.58 грн
100+35.08 грн
500+26.36 грн
1000+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G onsemi mjd6039-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.60 грн
10+59.30 грн
100+39.28 грн
500+28.79 грн
1000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G onsemi mjd6039-d.pdf Darlington Transistors 2A 80V Bipolar Power NPN
на замовлення 10901 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+109.72 грн
10+67.92 грн
100+39.12 грн
500+30.62 грн
1000+30.55 грн
2500+27.61 грн
5000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G ONSEMI 1576018.pdf Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G ONSEMI 1576018.pdf Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G mjd6039-d.pdf
MJD6039T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
333+44.07 грн
335+43.84 грн
393+37.28 грн
408+34.63 грн
500+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G mjd6039-d.pdf
MJD6039T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+47.24 грн
18+44.07 грн
25+43.84 грн
100+35.95 грн
250+32.07 грн
500+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G mjd6039-d.pdf
MJD6039T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+78.56 грн
10+50.58 грн
100+35.08 грн
500+26.36 грн
1000+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G mjd6039-d.pdf
MJD6039T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.60 грн
10+59.30 грн
100+39.28 грн
500+28.79 грн
1000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G mjd6039-d.pdf
MJD6039T4G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 2A 80V Bipolar Power NPN
на замовлення 10901 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.72 грн
10+67.92 грн
100+39.12 грн
500+30.62 грн
1000+30.55 грн
2500+27.61 грн
5000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G 1576018.pdf
MJD6039T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G 1576018.pdf
MJD6039T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.