MJD6039T4G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 25.54 грн |
| 5000+ | 22.94 грн |
| 7500+ | 22.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD6039T4G onsemi
Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 4A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції MJD6039T4G за ціною від 23.52 грн до 93.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD6039T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD6039T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 4A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 16525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD6039T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD6039T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 10404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD6039T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 4A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 16525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD6039T4G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 2A 80V Bipolar Power NPN |
на замовлення 16936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD6039T4G |
|
на замовлення 25200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
MJD6039T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
MJD6039T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |