Продукція > ONSEMI > MJD6039T4G
MJD6039T4G

MJD6039T4G onsemi

mjd6039-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.74 грн
5000+21.32 грн
7500+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD6039T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 4A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD6039T4G за ціною від 21.11 грн до 85.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD6039T4G MJD6039T4G Виробник : ONSEMI 1576018.pdf Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.42 грн
500+26.77 грн
1000+22.50 грн
5000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G Виробник : ON Semiconductor mjd6039-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
333+39.01 грн
335+38.81 грн
393+33.00 грн
408+30.66 грн
500+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 333
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G Виробник : ON Semiconductor mjd6039-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+44.80 грн
18+41.79 грн
25+41.58 грн
100+34.10 грн
250+30.41 грн
500+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G Виробник : onsemi mjd6039-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.10 грн
10+49.65 грн
100+34.43 грн
500+25.87 грн
1000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G Виробник : onsemi 5064E2784A83B1535014DD25423EF65BAA03BF5BF5DF8D62DEDD996100B01C00.pdf Darlington Transistors 2A 80V Bipolar Power NPN
на замовлення 16936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.00 грн
10+53.66 грн
100+30.88 грн
500+26.58 грн
1000+24.16 грн
2500+22.22 грн
5000+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G Виробник : ONSEMI 1576018.pdf Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 15913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.61 грн
15+56.29 грн
100+37.64 грн
500+30.22 грн
1000+27.55 грн
5000+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G mjd6039-d.pdf
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G Виробник : ON Semiconductor mjd6039-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.