Продукція > ONSEMI > MJD6039T4G
MJD6039T4G

MJD6039T4G onsemi

mjd6039-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.36 грн
5000+22.78 грн
7500+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD6039T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 4A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD6039T4G за ціною від 23.46 грн до 93.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MJD6039T4G MJD6039T4G Виробник : ON Semiconductor mjd6039-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
333+37.50 грн
335+37.31 грн
393+31.73 грн
408+29.47 грн
500+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 333
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G Виробник : ONSEMI 1576018.pdf Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.91 грн
500+28.60 грн
1000+24.03 грн
5000+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G Виробник : ON Semiconductor mjd6039-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+43.08 грн
18+40.18 грн
25+39.98 грн
100+32.78 грн
250+29.24 грн
500+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G Виробник : onsemi mjd6039-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.37 грн
10+53.04 грн
100+36.78 грн
500+27.64 грн
1000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G Виробник : ONSEMI 1576018.pdf Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.59 грн
15+58.84 грн
100+38.91 грн
500+28.60 грн
1000+24.03 грн
5000+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G Виробник : onsemi 5064E2784A83B1535014DD25423EF65BAA03BF5BF5DF8D62DEDD996100B01C00.pdf Darlington Transistors 2A 80V Bipolar Power NPN
на замовлення 16936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.32 грн
10+59.61 грн
100+34.30 грн
500+29.53 грн
1000+26.84 грн
2500+24.69 грн
5000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G mjd6039-d.pdf
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G Виробник : ON Semiconductor mjd6039-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G Виробник : ON Semiconductor mjd6039-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.