Продукція > ONSEMI > MJD6039T4G
MJD6039T4G

MJD6039T4G onsemi

mjd6039-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.46 грн
5000+21.08 грн
7500+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD6039T4G onsemi

Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 4A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції MJD6039T4G за ціною від 23.49 грн до 94.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MJD6039T4G MJD6039T4G ON Semiconductor mjd6039-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+42.27 грн
335+42.05 грн
393+35.76 грн
408+33.22 грн
500+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G ON Semiconductor mjd6039-d.pdf Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.31 грн
18+42.27 грн
25+42.05 грн
100+34.48 грн
250+30.76 грн
500+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G onsemi mjd6039-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.20 грн
10+49.07 грн
100+34.03 грн
500+25.57 грн
1000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G onsemi mjd6039-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.68 грн
10+57.52 грн
100+38.11 грн
500+27.93 грн
1000+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G ONSEMI 1576018.pdf Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 15913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G onsemi 5064E2784A83B1535014DD25423EF65BAA03BF5BF5DF8D62DEDD996100B01C00.pdf Darlington Transistors 2A 80V Bipolar Power NPN
на замовлення 16936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G MJD6039T4G ONSEMI 1576018.pdf Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G mjd6039-d.pdf
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G mjd6039-d.pdf
MJD6039T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
333+42.27 грн
335+42.05 грн
393+35.76 грн
408+33.22 грн
500+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G mjd6039-d.pdf
MJD6039T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 4A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+45.31 грн
18+42.27 грн
25+42.05 грн
100+34.48 грн
250+30.76 грн
500+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G mjd6039-d.pdf
MJD6039T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.20 грн
10+49.07 грн
100+34.03 грн
500+25.57 грн
1000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G mjd6039-d.pdf
MJD6039T4G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.68 грн
10+57.52 грн
100+38.11 грн
500+27.93 грн
1000+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G 1576018.pdf
MJD6039T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 15913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G 5064E2784A83B1535014DD25423EF65BAA03BF5BF5DF8D62DEDD996100B01C00.pdf
MJD6039T4G
Виробник: onsemi
Darlington Transistors 2A 80V Bipolar Power NPN
на замовлення 16936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G 1576018.pdf
MJD6039T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD6039T4G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2500hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD6039T4G mjd6039-d.pdf
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.