Продукція > 2N6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N6488 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6488 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6488 - TRANSISTOR, NPN TO-220 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6488 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 15A TO-220 Power - Max: 1.8 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 5MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6488 | CDIL | NPN 15A 80V 75W (=BDP395) Similar to 2N6488G; 2N6488 T2N6488 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 788 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6488 | JSMSEMI | Transistor NPN; 150; 75W; 80V; 15A; -65°C ~ 150°C; Equivalent: 2N6488G; 2N6488 JSMICRO T2N6488 JSM кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 84 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6488 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 90Vcbo 80Vceo 5.0V 15A 5.0A 75W | на замовлення 903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6488 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 80V 15A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6488 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 90Vcbo 80Vceo 5.0V 15A 5.0A 75W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6488G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6488G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 12291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6488G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6488G | On Semiconductor | TRANS NPN 80V 15A TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6488G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6488G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6488G | ON-Semiconductor | NPN 15A 80V 75W (=BDP395) Similar to 2N6488; 2N6488G T2N6488 ONS кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6488G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 15A 80V 75W NPN | на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6488G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6488G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6488G | ON Semiconductor | Транзистор NPN , Ptot, Вт = 75, Uceo, В = 80, Ic = 15, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 5, hFE = 150 @ Ic = 5, Uce = 4 V, Icutoff-max = 500 мкА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6488G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6488G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6488G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6488G | ON-Semiconductor | NPN 15A 80V 75W (=BDP395) Similar to 2N6488; 2N6488G T2N6488 ONS кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6488G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6488G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6488G | ON-Semiconductor | NPN 15A 80V 75W (=BDP395) Similar to 2N6488; 2N6488G T2N6488 ONS кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6488G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 15A TO-220 Power - Max: 1.8 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 5MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6488G (біполярний транзистор NPN) Код товару: 26817
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220 Гранична частота fT: 5 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 90 В Струм колектора Ic, А: 15 А Коефіцієнт передачі струму h21: 150 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6489 | HARRIS | 2N6489 | на замовлення 50505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6489 | на замовлення 1269 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6489 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 15A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6489 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | на замовлення 370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N648A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N649 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N649/22 | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N649/5 | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N6490 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6490 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6490 - 2N6490, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6490 | HARRIS | 2N6490 | на замовлення 1343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6490 | на замовлення 1410 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6490 | Harris Corporation | Description: TRANS PNP 60V 15A TO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-220AB Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.8 W | на замовлення 1555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6490 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 15A 60V 75W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6490 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6490 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 70Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 15A 75W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6490 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6490G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 15A TO-220 Power - Max: 1.8 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 5MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6490G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 15A 60V 75W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6490G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6490G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6490G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 15 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 20 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 75 Übergangsfrequenz ft: 5 Bauform - Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 15 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (25-Jun-2020) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6490G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6491 | CDIL | PNP 15A 80V 75W (=BDP396) 2N6491 T2N6491 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 623 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6491 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6491 | HARRIS | 2N6491 | на замовлення 1712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6491 | JSMSEMI | Transistor PNP; 150; 75W; 80V; 15A; -65°C ~ 150°C; Equivalent: 2N6491G; 2N6491 JSMICRO T2N6491 JSM кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 84 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6491 | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 15A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.8 W | на замовлення 14236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6491 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6491 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6491 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6491 - 2N6491, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6491 Код товару: 142992
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N6491 | JSMicro Semiconductor | Transistor PNP; 150; 75W; 80V; 15A; -65°C ~ 150°C; Equivalent: 2N6491G; 2N6491 JSMICRO T2N6491 JSM кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6491 | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 15A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.8 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6491 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 15A 80V 75W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6491 | HARRIS | 2N6491 | на замовлення 514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6491 | Harris Corporation | Description: TRANS PNP 80V 15A TO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-220AB Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.8 W | на замовлення 2308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6491 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 13614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6491 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 80V 15A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6491 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Med Power | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6491 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 90Vcbo 80Vceo 5.0Vceo 15A 75W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6491G | ON-Semiconductor | Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB 2N6491G T2N6491 ONS кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6491G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6491G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 15 A, 1.8 W, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 5 Verlustleistung Pd: 1.8 Übergangsfrequenz ft: 5 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 2NXXXX Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 15 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6491G | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 15A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.8 W | на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6491G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 15A 80V 75W PNP | на замовлення 1246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6491G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6491G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6491G Код товару: 154311
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N6491G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6491G | On Semiconductor | PNP 80V 50A 75W TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6491G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6491G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6491G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6491G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 15 А, ft, МГц = 5, hFE = 5 @ Ic = 15, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3,5 @ 5 А, 15 А, Р, Вт = 1,8, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6491G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6492 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6493 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6494 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6495 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N6495 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6496 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6496 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 5200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6497 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 5A 250V 80W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6497 | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 5A TO-220 Power - Max: 80 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 5MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2.5A, 10V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6497 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6497 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 5A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6497 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 5A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N6497G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 5A 250V 80W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6497G | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 5A TO-220 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 5MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2.5A, 10V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6499 | MULTICOMP | Description: MULTICOMP - 2N6499 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 5 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 75 Verlustleistung Pd: 80 Übergangsfrequenz ft: 5 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 350 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N649A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N650 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N6500 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |

