Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6491G
- BIPOLAR TRANSISTOR
- Transistor Polarity:PNP
- Max Voltage Vce Sat:20V
- Min Hfe:150
- Case Style:3-TO-220
Інші пропозиції 2N6491G за ціною від 33.46 грн до 165.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N6491G | ON-Semiconductor |
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB 2N6491G T2N6491 ONSкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2N6491G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2N6491G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2N6491G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2N6491G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2N6491G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2N6491G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2N6491G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 15A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.8 W |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
2N6491G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 15A 80V 75W PNP |
на замовлення 1246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
2N6491G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N6491G | ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 15 А, ft, МГц = 5, hFE = 5 @ Ic = 15, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3,5 @ 5 А, 15 А, Р, Вт = 1,8, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| 2N6491G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB 2N6491G T2N6491 ONS
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB 2N6491G T2N6491 ONS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 38.59 грн |
| 2N6491G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 286+ | 49.44 грн |
| 2N6491G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 49.90 грн |
| 21+ | 36.04 грн |
| 2N6491G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 275+ | 51.45 грн |
| 500+ | 47.52 грн |
| 2N6491G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 67.97 грн |
| 100+ | 60.79 грн |
| 500+ | 48.00 грн |
| 1000+ | 42.29 грн |
| 2N6491G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 208+ | 67.97 грн |
| 233+ | 60.79 грн |
| 500+ | 48.00 грн |
| 1000+ | 42.29 грн |
| 2N6491G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 80.11 грн |
| 23+ | 33.46 грн |
| 2N6491G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 15A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.8 W
Description: TRANS PNP 80V 15A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 165.80 грн |
| 50+ | 77.93 грн |
| 100+ | 69.99 грн |
| 500+ | 52.61 грн |
| 2N6491G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 15A 80V 75W PNP
Bipolar Transistors - BJT 15A 80V 75W PNP
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N6491G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N6491G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 15 А, ft, МГц = 5, hFE = 5 @ Ic = 15, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3,5 @ 5 А, 15 А, Р, Вт = 1,8, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 15 А, ft, МГц = 5, hFE = 5 @ Ic = 15, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3,5 @ 5 А, 15 А, Р, Вт = 1,8, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 51.11 грн |
| 100+ | 43.80 грн |






