2N6491G


2N6487-D.PDF
Код товару: 154311
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N6491G

  • BIPOLAR TRANSISTOR
  • Transistor Polarity:PNP
  • Max Voltage Vce Sat:20V
  • Min Hfe:150
  • Case Style:3-TO-220

Інші пропозиції 2N6491G за ціною від 36.06 грн до 177.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N6491G 2N6491G ON Semiconductor 2n6487-d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G 2N6491G ON-Semiconductor T2N6491_ONS_0001.pdf description Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB 2N6491G T2N6491 ONS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G 2N6491G ON Semiconductor 2n6487-d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.38 грн
50+47.89 грн
100+45.22 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G 2N6491G ON Semiconductor 2n6487-d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.67 грн
50+51.15 грн
100+48.09 грн
500+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G 2N6491G ON Semiconductor 2n6487-d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+68.45 грн
100+60.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G 2N6491G ONSEMI 2N6487_88_90_91.PDF description Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 15A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Current gain: 20...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 5MHz
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+97.54 грн
8+57.39 грн
10+52.15 грн
50+42.41 грн
100+38.85 грн
200+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G 2N6491G ON Semiconductor 2n6487-d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.05 грн
500+65.19 грн
1000+64.53 грн
2500+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G 2N6491G onsemi 2N6487-D.PDF description Description: TRANS PNP 80V 15A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.22 грн
50+83.36 грн
100+74.87 грн
500+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G 2N6491G onsemi 2N6487-D.PDF description Bipolar Transistors - BJT 15A 80V 75W PNP
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G 2N6491G ON Semiconductor 2n6487-d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G 2N6491G ON Semiconductor 2n6487-d.pdf description Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G ON Semiconductor 2N6487-D.PDF description Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 15 А, ft, МГц = 5, hFE = 5 @ Ic = 15, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3,5 @ 5 А, 15 А, Р, Вт = 1,8, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+51.11 грн
100+43.80 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G description 2n6487-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
378+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G description T2N6491_ONS_0001.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB 2N6491G T2N6491 ONS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G description 2n6487-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+48.38 грн
50+47.89 грн
100+45.22 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G description 2n6487-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+51.67 грн
50+51.15 грн
100+48.09 грн
500+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G description 2n6487-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+68.45 грн
100+60.07 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G description 2N6487_88_90_91.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 15A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Current gain: 20...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 5MHz
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+97.54 грн
8+57.39 грн
10+52.15 грн
50+42.41 грн
100+38.85 грн
200+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G description 2n6487-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
137+103.05 грн
500+65.19 грн
1000+64.53 грн
2500+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G description 2N6487-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 15A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.22 грн
50+83.36 грн
100+74.87 грн
500+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G description 2N6487-D.PDF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 15A 80V 75W PNP
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G description 2n6487-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G description 2n6487-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 15A 1800mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6491G description 2N6487-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 15 А, ft, МГц = 5, hFE = 5 @ Ic = 15, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3,5 @ 5 А, 15 А, Р, Вт = 1,8, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+51.11 грн
100+43.80 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.