Продукція > BQ4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BQ4013MA-85 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x42.8) Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Memory Interface: Parallel Access Time: 85 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4013MA-85 | TI | 08+; | на замовлення 46000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4013MA-85 | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module | на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4013MA-85 | Benchmarq | Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4013MA-85 | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module | на замовлення 327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4013MA-85 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x42.8) Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Memory Interface: Parallel Access Time: 85 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4013MA-85 | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module | на замовлення 389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-120 | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module | на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-120 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x42.8) Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-120 | TI | 08+; | на замовлення 52400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-130 | BQ/TI | 96+ DIP; | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-70 | TI | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BQ4013YMA-70 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x42.8) Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-70 | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module | на замовлення 976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-70 | Texas Instruments | NVRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-70N | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module | на замовлення 5536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-70N | Texas Instruments | NVRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-70N | TI | 08+; | на замовлення 324000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-70N | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x42.8) Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-70N | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module | на замовлення 5536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-70N мікросхема пам'ять Код товару: 220729
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Пам'ять | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BQ4013YMA-70 | TI/BQ | DIP32 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-85 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x42.8) Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Memory Interface: Parallel Access Time: 85 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-85 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-85 | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module | на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-85 | BQ | DIP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-85E | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-85N | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-85N | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module | на замовлення 2382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-85N | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x42.8) Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Memory Interface: Parallel Access Time: 85 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4013YMA-85N | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4014MB-120 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 2Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x52.96) Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 256K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 5693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4014MB-120 | TI | 08+; | на замовлення 456520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4014MB-120 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE DigiKey Programmable: Not Verified Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x52.96) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 2Mbit Mounting Type: Through Hole Memory Organization: 256K x 8 Access Time: 120 ns Memory Interface: Parallel Package / Case: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4014MB-120N | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4014MB-85 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE Memory Organization: 256K x 8 Access Time: 85 ns Memory Interface: Parallel Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 2Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x52.96) Memory Format: NVSRAM DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4014MB-85 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE Memory Organization: 256K x 8 Access Time: 85 ns Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 2Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x52.96) DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4014MB-85 | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4014MB-85N | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4014YMB-120 | TI | 08+; | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4014YMB-120 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE Memory Organization: 256K x 8 Access Time: 120 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 2Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x52.96) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4014YMB-120 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 2Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x52.96) Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 256K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4014YMB-120N | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4014YMB-70 | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4014YMB-70N | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4014YMB-85 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE Memory Organization: 256K x 8 Access Time: 85 ns Memory Interface: Parallel Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 2Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x52.96) Memory Format: NVSRAM | на замовлення 1647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4014YMB-85 | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4014YMB-85 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE Memory Organization: 256K x 8 Access Time: 85 ns Memory Interface: Parallel Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 2Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x52.96) Memory Format: NVSRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4014YMB-85N | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4015LYMA-70N | TI | 08+; | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4015LYMA-70N | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 32DIP MODULE DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x42.8) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4015MA-70 | TI | 08+; | на замовлення 205200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4015MA-70 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 32DIP MODULE DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x42.8) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4015MA-85 | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4015MA-85 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 32DIP MODULE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| bq4015YMA | BENCHMARQ | DIP | на замовлення 772 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4015YMA-120 | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4015YMA-120N | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4015YMA-70 | TI | 08+; | на замовлення 15200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4015YMA-70 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 32DIP MODULE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4015YMA-70 | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin DIP Module | на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4015YMA-70 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 32DIP MODULE | на замовлення 1821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4015YMA-70N | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4015YMA-85 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 32DIP MODULE DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 85 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x42.8) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4015YMA-85 | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin DIP Module | на замовлення 1272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4015YMA-85 | TI | 08+; | на замовлення 25400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4015YMA-85 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 32DIP MODULE DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 85 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x42.8) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) Packaging: Tube | на замовлення 3726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4015YMA-85N | TI | DIP-32 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4015YMA-85S | BENCHMAR | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BQ4015YMB-85 | BENCHMAR.. | на замовлення 232 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| bq4015YMB-85E | BENCHMARQ | DIP | на замовлення 541 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4015YMS-120 | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4015YMS-120N | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4015YMS-70 | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4015YMS-70N | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4015YMS-85 | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4016MC-70 | TI | 08+; | на замовлення 52400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4016MC-70 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 8MBIT PAR 36DIP MODULE Packaging: Tube Package / Case: 36-DIP Module (0.610", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 36-DIP Module Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4016MC-70 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 8MBIT PAR 36DIP MODULE DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 1M x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Supplier Device Package: 36-DIP Module Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 8Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 36-DIP Module (0.610", 15.49mm) Packaging: Tube | на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4016YMC-70 | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4016YMC-70 | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 8Mbit 5V 36-Pin DIP Module | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4016YMC-70 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 8MBIT PAR 36DIP MODULE DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 1M x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 36-DIP Module Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 8Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 36-DIP Module (0.610", 15.49mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4016YMC-70N | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4017MC-70 | TI | 08+; | на замовлення 46000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4017YMC-70 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 16MBIT PAR 36DIP MOD Packaging: Tube Package / Case: 36-DIP Module (0.610", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 16Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 36-DIP Module Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 2M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4017YMC-70 | Benchmarq | Description: IC NVSRAM 16MBIT PAR 36DIP MOD Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 16Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 36-DIP Module (0.610", 15.49mm) Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 2M x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 36-DIP Module Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | на замовлення 739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4017YMC-70 | TI | 08+; | на замовлення 52400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4017YMC-70 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 16MBIT PAR 36DIP MOD DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 2M x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Supplier Device Package: 36-DIP Module Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 16Mbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 36-DIP Module (0.610", 15.49mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4024MA-120 | TI | DIP 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4024MA-70 | TI | DIP 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4024MA-85 | TI | DIP 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4024YMA-120 | TI | DIP 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4024YMA-70 | TI | DIP 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4024YMA-85 | TI | DIP 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4050EVM-561 | Texas Instruments | Description: 1 SERIES, 2 SERIES, 3 SERIES, AN Utilized IC / Part: BQ4050 Type: Power Management Function: Fuel Gauge Packaging: Bulk Supplied Contents: Board(s) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4050EVM-561 | Texas Instruments | BQ4050 Battery Management Evaluation Board | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4050EVM-561 | Texas Instruments | Power Management IC Development Tools BQ4050EVM-561 | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BQ4050RSMR | TEXAS INSTRUMENTS | Category: Battery and battery cells controllers Description: IC: PMIC; battery charging controller; VQFN32; 2.2÷26VDC Type of integrated circuit: PMIC Kind of integrated circuit: battery charging controller Mounting: SMD Number of rechargeable batteries: 2-4 Li-Ion / Li-Po; 2-4 x Li-FePO4 Case: VQFN32 Supply voltage: 2.2...26V DC Kind of package: reel; tape Interface: SMBus Operating temperature: -40...85°C | на замовлення 98 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4050RSMR | Texas Instruments | Fuel Gauge Li-FePO4/Li-Ion/Li-Pol 26V 32-Pin VQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BQ4050RSMR | Texas Instruments | Fuel Gauge Li-FePO4/Li-Ion/Li-Pol 26V 32-Pin VQFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

