Технічний опис BQ4016YMC-70 TI
Description: IC NVSRAM 8MBIT PAR 36DIP MODULE, Packaging: Tube, Package / Case: 36-DIP Module (0.610", 15.49mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 8Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 36-DIP Module, Part Status: Obsolete, Write Cycle Time - Word, Page: 70ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 70 ns, Memory Organization: 1M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції BQ4016YMC-70
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BQ4016YMC-70 | Виробник : TI |
 DIP 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BQ4016YMC-70 | Виробник : Texas Instruments |
NVRAM NVSRAM Parallel 8Mbit 5V 36-Pin DIP Module |
товар відсутній |
||
| BQ4016YMC-70 | Виробник : Texas Instruments |
NVRAM NVSRAM Parallel 8Mbit 5V 36-Pin DIP Module |
товар відсутній |
||
 |
BQ4016YMC-70 | Виробник : Texas Instruments |
Description: IC NVSRAM 8MBIT PAR 36DIP MODULE Packaging: Tube Package / Case: 36-DIP Module (0.610", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 8Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 36-DIP Module Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 1M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |