Продукція > G04

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
G04P10HEGOFORD SemiconductorP-CH,-100V,-4A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,RD(max) Less Than 250mOhm at -4.5V,VTH -1.2V to -2.8V, SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.01 грн
15000+12.07 грн
30000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G04P10HEGoford SemiconductorDescription: P-100V,-4A,RD(MAX)<200M@-10V,VTH
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1647 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
на замовлення 14979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
10+36.00 грн
100+26.89 грн
500+19.82 грн
1000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2