G04P10HE Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-100V,-4A,RD(MAX)<200M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1647 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Підписка на надходження

Кількість	Ціна
2500+	10.19 грн

Мінімальне замовлення: 2500

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G04P10HE Goford Semiconductor

Інші пропозиції G04P10HE за ціною від 15.32 грн до 43.91 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	G04P10HE	Виробник : Goford Semiconductor	Description: P-100V,-4A,RD(MAX)<200M@-10V,VTH Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1647 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V	на замовлення 14979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Кількість Ціна 8+ 43.91 грн 10+ 36.02 грн 100+ 26.90 грн 500+ 19.83 грн 1000+ 15.32 грн Мінімальне замовлення: 8 купити В кошику  од. на суму  грн.
	G04P10HE	Виробник : Goford Semiconductor	Description: P-100V,-4A,RD(MAX)<200M@-10V,VTH Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1647 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR)	товару немає в наявності Підписка на надходження	купити В кошику  од. на суму  грн.