Продукція > AUI
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRFZ24NSTRL | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFZ24NSTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 45W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ24NSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ34N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ34N | Infineon Technologies | Description: AUIRFZ34 - 55V-60V N-CHANNEL AUT Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFZ34N | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFZ44N | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 55V 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFZ44N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ44N | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFZ44N | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFZ44N | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 17.5mOhms | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ44N | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFZ44N | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFZ44NS Код товару: 152487
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Напруга сток-витік Uds, В: 55 В Струм стоку Idd, А: 49 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 17,5 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1470/63 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||
| AUIRFZ44NS | Infineon | N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 94W; D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ44NS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ44NS | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFZ44NSTRL | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFZ44NSTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 49A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFZ44V | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB | на замовлення 10540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFZ44VZS Код товару: 60832
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| AUIRFZ44VZS | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 12mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ44VZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ44VZSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ44Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ44Z | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220 | на замовлення 613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFZ44Z | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.9mOhms | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ44ZS | Infineon | на замовлення 2650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| AUIRFZ44ZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ44ZSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ46NL | Infineon Technologies | MOSFET 55V, 53A, 16.5mOhm Automotive MOSFET | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ46NL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 39A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ48N | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRFZ48N - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 55 V, 69 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 160W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ48N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 69A TO220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ48N | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 69A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ48N | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 69A TO220AB | на замовлення 25056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFZ48N | Infineon Technologies | MOSFETs Automotive MOSFET 55 54 nC Qg, TO-220 | на замовлення 979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ48NXKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ48Z | Infineon Technologies | Description: AUIRFZ48Z - 55V-60V N-CHANNEL AU Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFZ48Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 61A TO220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ48Z | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms | на замовлення 873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ48Z | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 61A 91Вт TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ48Z | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 61A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRFZ48ZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ48ZS | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ48ZSTRL | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ48ZSTRL | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRFZ48ZSTRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG35B60PD-E | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE ULTRAFAST SPEED IGBT Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4BC30S-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 34A 100W D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4BC30S-S | International Rectifier | Description: IGBT 600V 34A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A Power - Max: 100 W | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRG4BC30S-S | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBT | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4BC30SSTRL | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 34A 100W D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4BC30SSTRL | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 100W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4BC30SSTRL | Infineon Technologies | IGBTs 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBT | на замовлення 484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4BC30SSTRL | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 100W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRG4BC30SSTRL | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 100W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4BC30SSTRR | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4BC30U-S | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23A 100W D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4BC30U-S | International Rectifier | Description: IGBT 600V 23A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/78ns Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 75 nC Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRG4BC30U-S | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4BC30U-SL | Infineon / IR | IGBT Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4BC30USTRL | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 23A 100W D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4BC30USTRL | International Rectifier | Description: IGBT 600V 23A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/78ns Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 50 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 92 A Power - Max: 100 W | на замовлення 6390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRG4BC30USTRL | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT | на замовлення 356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4BC30USTRR | Infineon / IR | IGBT Transistors 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4PC40S-E | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 160W; TO247AD; 0.45mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 160W Case: TO247AD Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 31A Mounting: THT Gate charge: 150nC Turn-on time: 22ns Turn-on switching energy: 0.45mJ | на замовлення 39600 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRG4PC40S-E | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETE SWITCHES | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4PC40S-E | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 160W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4PC40S-E | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 160W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4PC40S-E | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 31A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 22ns/650ns Switching Energy: 450µJ (on), 6.5mJ (off) Test Condition: 480V, 31A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 160 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4PC40S-E-IR | International Rectifier | Description: IGBT Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4PH50S | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 57A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRG4PH50S | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 141A TO-247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 33A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: -/616ns Switching Energy: 16mJ (off) Test Condition: 600V, 33A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 227 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 141 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 99 A Power - Max: 543 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4PH50S | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 57A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRG4PH50S | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 57A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRG4PH50S Код товару: 135709
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| AUIRG4PH50S | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRG4PH50S - IGBT, 57 A, 1.75 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TO-247AC Dauerkollektorstrom: 57A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4PH50S | Infineon Technologies | IGBTs 1200V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE AUTO IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4PH50S | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 57A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 17758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRG4PH50S | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 57A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRG4PH50S-205 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 141A TO-247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 33A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: -/616ns Switching Energy: 16mJ (off) Test Condition: 600V, 33A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 227 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 141 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 99 A Power - Max: 543 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4PH50SXKMA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETE SWITCHES | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4PH50SXKMA1 | Infineon Technologies | Description: DISCRETE SWITCHES Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRG4PH50SXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET Type of transistor: P-MOSFET | на замовлення 1375 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRGB4062D | Infineon / IR | IGBT Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRGB4062D1 | Infineon / IR | IGBT Transistors Automotive 600V Ultra TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRGB4062D1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 59A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 102 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 24A Supplier Device Package: TO-220AB IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 19ns/90ns Switching Energy: 532µJ (on), 311µJ (off) Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 77 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 59 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 72 A Power - Max: 246 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRGB4062D1-INF | Infineon Technologies | Description: IGBT, 59A I(C), 600V V(BR)CES, N Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 102 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 24A Supplier Device Package: TO-220AB IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 19ns/90ns Switching Energy: 532µJ (on), 311µJ (off) Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 59 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 72 A Power - Max: 246 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRGDC0250 | Infineon Technologies | IGBTs 1200V IGBT 81A Auto 1.37V at 33A Low VCE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRGDC0250 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 141A 543W 3-Pin(3+Tab) Super TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRGDC0250 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 141A SUPER-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.57V @ 15V, 33A Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA) Td (on/off) @ 25°C: -/485ns Switching Energy: 15mJ (off) Test Condition: 600V, 33A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 227 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 141 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 99 A Power - Max: 543 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRGDC0250 Код товару: 210392
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| AUIRGDC0250 | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRGDC0250 - IGBT, 141 A, 1.47 V, 543 W, 1.2 kV, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47V MSL: - Verlustleistung: 543W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 141A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRGDC0250 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 141A 543W 3-Pin(3+Tab) Super TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRGDC0250 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 141A 543W 3-Pin(3+Tab) Super TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRGDC0250AKMA1 | Infineon Technologies | AUIRGDC0250AKMA1 | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRGDC0250AKMA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETE SWITCHES | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRGDC0250AKMA1 | Infineon Technologies | AUIRGDC0250AKMA1 | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AUIRGDC0250AKMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 141A SUPER-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-273AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 33A Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA) Td (on/off) @ 25°C: -/485ns Switching Energy: 15mJ (off) Test Condition: 600V, 33A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 151 nC Current - Collector (Ic) (Max): 141 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 99 A Power - Max: 543 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AUIRGF65A40D0 | Infineon / IR | MOSFET DISCRETES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |