Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > AUIRFZ48N
AUIRFZ48N

AUIRFZ48N International Rectifier

IRSDS13108-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 69A TO220AB
на замовлення 25056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
173+118.18 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRFZ48N International Rectifier

Description: INFINEON - AUIRFZ48N - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 55 V, 69 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 160W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції AUIRFZ48N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AUIRFZ48N AUIRFZ48N Infineon Technologies auirfz48n.pdf MOSFETs Automotive MOSFET 55 54 nC Qg, TO-220
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ48N AUIRFZ48N INFINEON IRSDS13108-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRFZ48N - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 55 V, 69 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ48N auirfz48n.pdf
AUIRFZ48N
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Automotive MOSFET 55 54 nC Qg, TO-220
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ48N IRSDS13108-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRFZ48N
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFZ48N - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 55 V, 69 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.