AUIRFZ48N International Rectifier
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 173+ | 129.15 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
173 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRFZ48N International Rectifier
Description: INFINEON - AUIRFZ48N - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 55 V, 69 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 160W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції AUIRFZ48N за ціною від 130.18 грн до 424.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRFZ48N | Infineon Technologies |
MOSFETs Automotive MOSFET 55 54 nC Qg, TO-220 |
на замовлення 979 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AUIRFZ48N | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFZ48N - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 55 V, 69 A, 0.011 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 160W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| AUIRFZ48N |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Automotive MOSFET 55 54 nC Qg, TO-220
MOSFETs Automotive MOSFET 55 54 nC Qg, TO-220
на замовлення 979 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 424.05 грн |
| 10+ | 274.17 грн |
| 100+ | 177.71 грн |
| 500+ | 149.19 грн |
| 1000+ | 137.49 грн |
| 2000+ | 130.18 грн |
| AUIRFZ48N |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFZ48N - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 55 V, 69 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - AUIRFZ48N - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 55 V, 69 A, 0.011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





