Продукція > ncp
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NCP51401MNTXG | ON Semiconductor | Power Management Specialised - PMIC 3 AMP VTT TERMINATIO | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51401MNTXG | ON Semiconductor | Description: IC REG DDR TERM 3A 10DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51401MNTXG | ON Semiconductor | DDR Memory Termination Regulator 2.375V to 5.5V Automotive 10-Pin DFN EP T/R | на замовлення 2416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51401MNTXG | ONSEMI | Category: Voltage regulators - DC/DC circuits Description: IC: PMIC; DDR memory termination regulator; Uout: -0.1÷3.5V Type of integrated circuit: PMIC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Output voltage: -0.1...3.5V Output current: 3A Operating voltage: 0.5...1.8/2.375...5.5V DC Number of channels: 1 Application: for DDR memories Kind of integrated circuit: DDR memory termination regulator Case: DFN10 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51402MNTXG | ON Semiconductor | DDR Memory Termination Regulator 2.375V to 5.5V 10-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51402MNTXG | onsemi | Description: IC REG LDO DDR 1OUT 10DFN | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51402MNTXG | ON Semiconductor | на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCP51402MNTXG | ONSEMI | Category: Voltage regulators - DC/DC circuits Description: IC: PMIC; DDR memory termination regulator; Uout: -0.1÷3.5V Type of integrated circuit: PMIC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Output voltage: -0.1...3.5V Output current: 3A Operating voltage: 0.5...1.8/2.375...5.5V DC Number of channels: 1 Application: for DDR memories Kind of integrated circuit: DDR memory termination regulator Case: DFN10 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51402MNTXG | ON Semiconductor | DDR Memory Termination Regulator 2.375V to 5.5V 10-Pin DFN EP T/R | на замовлення 1721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51402MNTXG | onsemi | Power Management Specialised - PMIC 3 Amp VTT Termination Regulator DDR1, DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4 No droop, 29deg | на замовлення 3565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51402MNTXG | onsemi | Description: IC REG LDO DDR 1OUT 10DFN | на замовлення 10637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51403MNTXG | ON Semiconductor | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCP51403MNTXG | onsemi | Description: IC REG LDO DDR 1OUT 10DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Voltage - Input: 2.375V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Applications: LDO (Linear), DDR Supplier Device Package: 10-DFN (3x3) | на замовлення 10821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51403MNTXG | ONSEMI | Category: Voltage regulators - DC/DC circuits Description: IC: PMIC; DDR memory termination regulator; Uout: -0.1÷3.5V Type of integrated circuit: PMIC Mounting: SMD Operating temperature: max. 150°C Output voltage: -0.1...3.5V Output current: 3A Operating voltage: 0.5...1.8/2.375...5.5V DC Number of channels: 1 Application: for DDR memories Kind of integrated circuit: DDR memory termination regulator Case: DFN10 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51403MNTXG | ON Semiconductor | DDR Termination Regulator 2.375V to 5.5V 10-Pin DFN EP T/R | на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51403MNTXG | onsemi | Power Management Specialised - PMIC 3 Amp VTT Termination Regulator DDR1, DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4 No droop, 45deg | на замовлення 4693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51403MNTXG | onsemi | Description: IC REG LDO DDR 1OUT 10DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Voltage - Input: 2.375V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Applications: LDO (Linear), DDR Supplier Device Package: 10-DFN (3x3) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51403MNTXG | ON Semiconductor | DDR Termination Regulator 2.375V to 5.5V 10-Pin DFN EP T/R | на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51403MNTXG | ON Semiconductor | DDR Termination Regulator 2.375V to 5.5V 10-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51460SN33GEVB | ON Semiconductor | Description: BD EVAL 20MA PRECISE LDO BD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51460SN33GEVB | onsemi | Power Management IC Development Tools 20MA PRECISE LDO BD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51460SN33T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51460SN33T1G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Micropower, in Reihe, fest, Baureihe NCP51460, 3.3V, SOT-23-3 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 3.333V Bauform - Spannungsreferenz: SOT-23 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Referenzspannung, min.: 3.267V MSL: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Temperaturkoeffizient: ± 18ppm/°C Eingangsspannung, max.: 28V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: NCP51460 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Referenzspannung: 3.3V Betriebstemperatur, max.: 100°C Spannungsreferenz: In Reihe, fest Anfangsgenauigkeit: 1% | на замовлення 52257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51460SN33T1G | ON Semiconductor | V-Ref Precision 3.3V 20mA 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51460SN33T1G | onsemi | Description: IC VREF SERIES 1% SOT23-3 Tolerance: ±1% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Temperature Coefficient: 18ppm/°C Typical Output Type: Fixed Mounting Type: Surface Mount Voltage - Input: 4.2V ~ 28V Reference Type: Series Operating Temperature: 0°C ~ 100°C (TA) Current - Supply: 220µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V Noise - 0.1Hz to 10Hz: 12µVp-p Noise - 10Hz to 10kHz: 18µVrms Part Status: Active Current - Output: 20 mA | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51460SN33T1G | onsemi | Voltage References PRECISE LN 20 MA LDO REG | на замовлення 29120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51460SN33T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51460SN33T1G - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Micropower, in Reihe, fest, Baureihe NCP51460, 3.3V, SOT-23-3 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 3.333V Bauform - Spannungsreferenz: SOT-23 isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Referenzspannung, min.: 3.267V MSL: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Temperaturkoeffizient: ± 18ppm/°C Eingangsspannung, max.: 28V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: NCP51460 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Referenzspannung: 3.3V Betriebstemperatur, max.: 100°C Spannungsreferenz: In Reihe, fest Anfangsgenauigkeit: 1% | на замовлення 52257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51460SN33T1G Код товару: 177027
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCP51460SN33T1G | ON Semiconductor | V-Ref Precision 3.3V 20mA 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51460SN33T1G | ONSEMI | Category: Reference voltage sources - circuits Description: IC: voltage reference source; 3.3V; ±1%; SOT23; reel,tape; 20mA Type of integrated circuit: voltage reference source Reference voltage: 3.3V Tolerance: ±1% Mounting: SMD Case: SOT23 Operating temperature: 0...100°C Kind of package: reel; tape Maximum output current: 20mA Operating voltage: 4.2...28V | на замовлення 2025 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51460SN33T1G | onsemi | Description: IC VREF SERIES 1% SOT23-3 Tolerance: ±1% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Temperature Coefficient: 18ppm/°C Typical Output Type: Fixed Mounting Type: Surface Mount Voltage - Input: 4.2V ~ 28V Reference Type: Series Operating Temperature: 0°C ~ 100°C (TA) Current - Supply: 220µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V Noise - 0.1Hz to 10Hz: 12µVp-p Noise - 10Hz to 10kHz: 18µVrms Part Status: Active Current - Output: 20 mA | на замовлення 21707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51510MNTAG | onsemi | Description: IC REG LDO DDR 1OUT 10DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Voltage - Output: 0.5V ~ 1.5V Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Voltage - Input: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Applications: LDO (Linear), DDR Supplier Device Package: 10-DFN (3x3) | на замовлення 2197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51510MNTAG | onsemi | Power Management Specialised - PMIC 3A DDR MEMORY TERM | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51510MNTAG | ON Semiconductor | DDR Termination Regulator 2.7V to 3.6V 10-Pin DFN EP T/R | на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51510MNTAG | ONSEMI | Category: Voltage regulators - DC/DC circuits Description: IC: PMIC; DDR memory termination regulator; Uout: 0.5÷1.5V; DFN10 Case: DFN10 Mounting: SMD Type of integrated circuit: PMIC Operating temperature: -40...125°C Output voltage: 0.5...1.5V Number of channels: 1 Operating voltage: 1.1...3.6/2.7...3.6V DC Output current: 3A Application: for DDR memories Kind of integrated circuit: DDR memory termination regulator | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51510MNTAG | onsemi | Description: IC REG LDO DDR 1OUT 10DFN Supplier Device Package: 10-DFN (3x3) Applications: LDO (Linear), DDR Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Input: 2.7V ~ 3.6V Number of Outputs: 1 Mounting Type: Surface Mount Voltage - Output: 0.5V ~ 1.5V Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51510MNTAG | ON Semiconductor | DDR Termination Regulator 2.7V to 3.6V 10-Pin DFN EP T/R | на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51510MNTAG | ON Semiconductor | на замовлення 2920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCP51510MNTAG | ON Semiconductor | DDR Termination Regulator 2.7V to 3.6V 10-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51510MNTWG | ON Semiconductor | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCP51510MNTWG | onsemi | Description: TERMINATOR SUPPORT CIRCUIT, PDSO | на замовлення 11435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 425 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51513ABMNTWG | ON Semiconductor | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin DFN EP T/R | на замовлення 2554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51513ABMNTWG | onsemi | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 8V ~ 19V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 150 V Supplier Device Package: 10-DFN (3x3) Rise / Fall Time (Typ): 9ns, 7ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 3A DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51513ABMNTWG | ON Semiconductor | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin DFN EP T/R | на замовлення 2554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51513ABMNTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51513ABMNTWG - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 10 Pin(s), DFN tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DFN Eingang: CMOS, TTL MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: NCP51513x Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 19V Eingabeverzögerung: 50ns Ausgabeverzögerung: 50ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51513ABMNTWG Код товару: 197832
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Драйвери двигунів | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCP51513ABMNTWG | ON Semiconductor | Driver 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 10-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51513ABMNTWG | onsemi | Gate Drivers 130 V, 2.0/3.0 A High and Low Side Drivers with Dead Time & Interlock | на замовлення 4758 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51513ABMNTWG | onsemi | Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 8V ~ 19V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 150 V Supplier Device Package: 10-DFN (3x3) Rise / Fall Time (Typ): 9ns, 7ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 3A DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51513ABMNTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51513ABMNTWG - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 10 Pin(s), DFN tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DFN Eingang: CMOS, TTL MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: NCP51513x Series productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 19V Eingabeverzögerung: 50ns Ausgabeverzögerung: 50ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51530 | onsemi | onsemi 700V HALF BRIDGE DRIVER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51530ADR2G | ON Semiconductor | Driver 2.2A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51530ADR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51530ADR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 60ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 3.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51530ADR2G | ON Semiconductor | Driver 2.2A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51530ADR2G | onsemi | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 2A 8SOIC Features: Bootstrap Circuit Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Interface: Logic, PWM Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge (2) Voltage - Supply: 10V ~ 17V Applications: General Purpose Current - Output / Channel: 2A Current - Peak Output: 2.2A Technology: Power MOSFET Voltage - Load: 700V Supplier Device Package: 8-SOIC Fault Protection: UVLO Load Type: Inductive, Capacitive Part Status: Active | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51530ADR2G | ON Semiconductor | Driver 2.2A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51530ADR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51530ADR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 60ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 3.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51530ADR2G | ON Semiconductor | Driver 2.2A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51530ADR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51530ADR2G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 6550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51530ADR2G | ON Semiconductor | Driver 2.2A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 1444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51530ADR2G | ON Semiconductor | на замовлення 1883 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCP51530ADR2G | ON Semiconductor | Driver 2.2A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51530ADR2G | onsemi | Gate Drivers 700V HALF BRIDGE DRIVER | на замовлення 3418 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51530ADR2G | onsemi | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 2A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Features: Bootstrap Circuit Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Interface: Logic, PWM Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge (2) Voltage - Supply: 10V ~ 17V Applications: General Purpose Current - Output / Channel: 2A Current - Peak Output: 2.2A Technology: Power MOSFET Voltage - Load: 700V Supplier Device Package: 8-SOIC Fault Protection: UVLO Load Type: Inductive, Capacitive Part Status: Active | на замовлення 7303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51530AMNTWG | onsemi | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 2A 10DFN Technology: Power MOSFET Current - Peak Output: 3.5A Current - Output / Channel: 2A Applications: General Purpose Voltage - Supply: 10V ~ 17V Output Configuration: Half Bridge (2) Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Interface: Logic, PWM Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-VDFN Exposed Pad Features: Bootstrap Circuit Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Load Type: Inductive, Capacitive Fault Protection: UVLO Supplier Device Package: 10-DFN (4x4) Voltage - Load: 700V | на замовлення 3510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51530AMNTWG | ON Semiconductor | Driver 2.2A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg 10-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51530AMNTWG | ON Semiconductor | на замовлення 3228 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCP51530AMNTWG | onsemi | Gate Drivers 700V HALF BRIDGE D | на замовлення 3299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51530AMNTWG | onsemi | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 2A 10DFN Part Status: Active Load Type: Inductive, Capacitive Fault Protection: UVLO Supplier Device Package: 10-DFN (4x4) Voltage - Load: 700V Technology: Power MOSFET Current - Peak Output: 3.5A Current - Output / Channel: 2A Applications: General Purpose Voltage - Supply: 10V ~ 17V Output Configuration: Half Bridge (2) Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Interface: Logic, PWM Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-VDFN Exposed Pad Features: Bootstrap Circuit Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51530BDR2G | onsemi | Gate Drivers 700V HALF BRIDGE DRIVER | на замовлення 10000 шт: термін постачання 240-249 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51530BDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51530BDR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 25ns Verzögerung, SOIC-8 Sinkstrom: 3 Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side Leistungsschalter: MOSFET IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 10 Quellstrom: 3.5 Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 17 Eingabeverzögerung: 25 Ausgabeverzögerung: 25 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51530BDR2G | onsemi | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 3.5A 8SOIC Load Type: Inductive, Capacitive Fault Protection: UVLO Supplier Device Package: 8-SOIC Voltage - Load: 700V Technology: Power MOSFET Current - Peak Output: 3A Current - Output / Channel: 3.5A Applications: General Purpose Voltage - Supply: 10V ~ 17V Output Configuration: Half Bridge (2) Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Interface: Logic, PWM Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Features: Bootstrap Circuit Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active | на замовлення 26319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51530BDR2G | ON Semiconductor | Driver 2.2A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51530BDR2G | onsemi | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 3.5A 8SOIC Part Status: Active Load Type: Inductive, Capacitive Fault Protection: UVLO Supplier Device Package: 8-SOIC Voltage - Load: 700V Technology: Power MOSFET Current - Peak Output: 3A Current - Output / Channel: 3.5A Applications: General Purpose Voltage - Supply: 10V ~ 17V Output Configuration: Half Bridge (2) Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Interface: Logic, PWM Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Features: Bootstrap Circuit Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51530BDR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51530BDR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 10V-17V Versorgung, 1.7Aout, 25ns Verzögerung, SOIC-8 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51530BDR2G | ON Semiconductor | Driver 2.2A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51530BMNTWG | ON Semiconductor | Driver 2.2A 2-OUT High and Low Side Full Brdg/Half Brdg 10-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51530BMNTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51530BMNTWG - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 3946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51530BMNTWG | onsemi | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 2A 10DFN Part Status: Active Load Type: Inductive, Capacitive Fault Protection: UVLO Supplier Device Package: 10-DFN (4x4) Voltage - Load: 700V Technology: Power MOSFET Current - Peak Output: 3.5A Current - Output / Channel: 2A Applications: General Purpose Voltage - Supply: 10V ~ 17V Output Configuration: Half Bridge (2) Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Interface: Logic, PWM Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-VDFN Exposed Pad Features: Bootstrap Circuit Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 85128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51530BMNTWG | onsemi | Gate Drivers 700V HALF BRIDGE D | на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51530BMNTWG | ONSEMI | Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-side,low-side,gate driver; DFN10; -3÷3.5A; 700V Mounting: SMD Case: DFN10 Operating temperature: -40...125°C Output current: -3...3.5A Pulse fall time: 15ns Impulse rise time: 15ns Supply voltage: 10...17V DC Voltage class: 700V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-side; low-side | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51530BMNTWG | onsemi | Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 2A 10DFN Part Status: Active Load Type: Inductive, Capacitive Fault Protection: UVLO Supplier Device Package: 10-DFN (4x4) Voltage - Load: 700V Technology: Power MOSFET Current - Peak Output: 3.5A Current - Output / Channel: 2A Applications: General Purpose Voltage - Supply: 10V ~ 17V Output Configuration: Half Bridge (2) Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Interface: Logic, PWM Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-VDFN Exposed Pad Features: Bootstrap Circuit Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51530BMNTWG | ON Semiconductor | на замовлення 3610 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCP51560ABDWR2G | onsemi | Description: DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Voltage - Output Supply: 6.5V ~ 30V Number of Channels: 2 Part Status: Active Pulse Width Distortion (Max): 5ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 10ns Supplier Device Package: 16-SOIC Approval Agency: CQC, UL, VDE Voltage - Isolation: 5000Vrms Current - Output High, Low: 2.6A, 7A Technology: Magnetic Coupling Current - Peak Output: 4.5A, 9A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51560ABDWR2G | onsemi | Galvanically Isolated Gate Drivers 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51560ABDWR2G | ON Semiconductor | Driver 9A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin SOIC W T/R | на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51560ABDWR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51560ABDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, SiC-MOSFET tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 38ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51560ABDWR2G | onsemi | Description: DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC Voltage - Output Supply: 6.5V ~ 30V Number of Channels: 2 Part Status: Active Pulse Width Distortion (Max): 5ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 10ns Supplier Device Package: 16-SOIC Approval Agency: CQC, UL, VDE Voltage - Isolation: 5000Vrms Current - Output High, Low: 2.6A, 7A Technology: Magnetic Coupling Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Current - Peak Output: 4.5A, 9A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51560ABDWR2G | Aptina Imaging | Driver 9A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin SOIC W T/R | на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51560ABDWR2G | ON Semiconductor | Driver 9A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin SOIC W T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51560ABDWR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51560ABDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, SiC-MOSFET tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WSOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 38ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51560BBDWR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51560BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, WSOIC-16 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 38ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51560BBDWR2G | onsemi | Description: DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC Approval Agency: CQC, UL, VDE Voltage - Isolation: 5000Vrms Current - Output High, Low: 2.6A, 7A Technology: Magnetic Coupling Current - Peak Output: 4.5A, 9A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Voltage - Output Supply: 9.5V ~ 30V Number of Channels: 2 Part Status: Active Pulse Width Distortion (Max): 5ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 10ns Supplier Device Package: 16-SOIC | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51560BBDWR2G | ON Semiconductor | Driver 9A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin SOIC W T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51560BBDWR2G | ONN | на замовлення 920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCP51560BBDWR2G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NCP51560BBDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, MOSFET, SiC-MOSFET, WSOIC-16 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 38ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51560BBDWR2G | onsemi | Description: DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Voltage - Output Supply: 9.5V ~ 30V Number of Channels: 2 Part Status: Active Pulse Width Distortion (Max): 5ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 10ns Supplier Device Package: 16-SOIC Approval Agency: CQC, UL, VDE Voltage - Isolation: 5000Vrms Current - Output High, Low: 2.6A, 7A Technology: Magnetic Coupling Current - Peak Output: 4.5A, 9A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 16766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51560BBDWR2G | onsemi | Galvanically Isolated Gate Drivers NCP51560BBDWR2G | на замовлення 983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NCP51561 | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NCP51561BADWR2G | onsemi | Description: DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Output Supply: 18.5V ~ 30V Number of Channels: 2 Part Status: Active Pulse Width Distortion (Max): 5ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 58ns, 58ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 10ns Supplier Device Package: 16-SOIC Approval Agency: CQC, UL, VDE Voltage - Isolation: 5000Vrms Current - Output High, Low: 9A, 4.5A Technology: Capacitive Coupling Current - Peak Output: 4.5A, 9A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NCP51561BADWR2G | onsemi | Galvanically Isolated Gate Drivers 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |

