NCP51560ABDWR2G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NCP51560ABDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, SiC-MOSFET
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 38ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 135.85 грн |
| 250+ | 123.36 грн |
| 500+ | 116.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCP51560ABDWR2G ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51560ABDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 9A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: -, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4.5A, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: WSOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5V, Eingabeverzögerung: 38ns, Ausgabeverzögerung: 38ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NCP51560ABDWR2G за ціною від 116.02 грн до 385.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NCP51560ABDWR2G | Виробник : onsemi |
Description: DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4.5A, 9A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 2.6A, 7A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: CQC, UL, VDE Supplier Device Package: 16-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 10ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns Pulse Width Distortion (Max): 5ns Grade: Automotive Part Status: Active Number of Channels: 2 Voltage - Output Supply: 6.5V ~ 30V Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NCP51560ABDWR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 9A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin SOIC W T/R |
на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NCP51560ABDWR2G | Виробник : onsemi |
Galvanically Isolated Gate Drivers NCP51560ABDWR2G |
на замовлення 835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCP51560ABDWR2G | Виробник : onsemi |
Description: DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Current - Peak Output: 4.5A, 9A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 2.6A, 7A Voltage - Isolation: 5000Vrms Approval Agency: CQC, UL, VDE Supplier Device Package: 16-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 10ns Common Mode Transient Immunity (Min): 200V/ns Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 60ns, 60ns Pulse Width Distortion (Max): 5ns Grade: Automotive Part Status: Active Number of Channels: 2 Voltage - Output Supply: 6.5V ~ 30V Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NCP51560ABDWR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP51560ABDWR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, High-Side und Low-Side, MOSFET, SiC-MOSFET tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: Halbbrücke, High-Side und Low-Side Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Eingabeverzögerung: 38ns Ausgabeverzögerung: 38ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NCP51560ABDWR2G | Виробник : Aptina Imaging |
Driver 9A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin SOIC W T/R |
на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
NCP51560ABDWR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 9A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin SOIC W T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NCP51560ABDWR2G | Виробник : ON Semiconductor |
NCP51560ABDWR2G |
товару немає в наявності |