Продукція > 2SC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC2220 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC2221 | NEC | CAN | на замовлення 461 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2222 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC2222H-R1-00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2222H_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2222H_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE40V IC600mA SOT-89 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2222H_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2SC2223 | NEC | SOT-23 | на замовлення 5568 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2223 F35 | NEC | 09+ | на замовлення 1374018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2223-T1(F12) | на замовлення 2710 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC2223-T1(F13) | на замовлення 81000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC2223-T1B | NEC | SOT23 | на замовлення 192000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2223-T1B F12 | NEC | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2223-T1B F13 | NEC | SOT23 | на замовлення 17420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2223-T1B(F12) | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC2223-T1B-A | Renesas Electronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2223-T1B/F13/F14 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC2223-T2B-A | Renesas Electronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2223-TB | NEC | 09+ | на замовлення 500018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2224 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC2224A | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC2227 | NEC | CAN | на замовлення 843 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2228A | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC2228E-AE | Sanyo | Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA Part Status: Active Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2228E-AE | onsemi | Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2228Y | на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC2229 | TOS | 10+ DO214 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229(TE6SAN1F,M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229(TE6SAN1F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-O(MIT1F,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-O(MIT1F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-O(MITIF,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-O(MITIF,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-O(SHP,F,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-O(SHP,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-O(SHP1,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-O(SHP1,F,M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-O(T6MIT1FM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-O(T6MIT1FM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-O(T6SAN2FM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-O(T6SAN2FM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-O(T6SHP1FM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-O(T6SHP1FM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO92MOD Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-O(TE6,F,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-O(TE6,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-O(TPE6,C) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y(MIT,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y(MIT,F,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y(MIT1,F,M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y(MIT1,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y(SAN2,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y(SAN2,F,M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y(SHP,F,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y(SHP,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y(SHP1,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO92MOD Packaging: Bulk Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y(SHP1,F,M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y(T6MIT1FM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y(T6MIT1FM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y(T6MITIFM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y(T6MITIFM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y(T6ONK1FM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y(T6ONK1FM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y(T6SAN2FM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y(T6SAN2FM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO92MOD Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y(TE6,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y(TE6,F,M) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y,F(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229-Y,F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2229Y | TOS | 10+ SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC223 | NEC | CAN | на замовлення 843 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2230-GR(C) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2230-GR(TE6,C,M | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2230-GR(TPE6,C) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2230A | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC2230A-GR (транзистор біполярний NPN) Код товару: 35534
Додати до обраних
Обраний товар
| Toshiba | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92L fT: 50 MHz Uceo,V: 180 V Ucbo,V: 200 V Ic,A: 0,1 A h21: 400 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||
| 2SC2230A-GR(C,M) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2230A-Y,F(J | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2230A-Y,T6F(J | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2230A-Y,T6F(M | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2231A | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC2233 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC2233-Y | FSC | 09+ | на замовлення 68 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2234 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SC2235 | Toshiba | NPN, 120V, 0.8A, 120MHz, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2235(T6KMAT,F,M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2235(T6KMAT,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2235-O(FA1,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2235-O(FA1,F,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2235-O(T6ASN,FM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2235-O(T6ASN,FM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2235-O(T6FJT,AF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2235-O(T6FJT,AF | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2235-O(T6FJT,FM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2235-O(T6FJT,FM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2235-O(TE6,C,M) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2235-O(TE6,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2235-O(TE6,F,M) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR; LSTM; MOQ=3000; PC=900MW; F=100khz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2235-O(TPE6,C) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2235-O(TPE6,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SC2235-O,F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 120V 0.8A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

