Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFU9110PBFVishay/IRP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 3,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25, Qg, нКл = 8,7 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 1,9 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3.1 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 3.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 3.1A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.50 грн
75+68.33 грн
150+58.65 грн
525+49.14 грн
1050+45.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120
Код товару: 1696
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 5,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,60 Ом
товару немає в наявності
10000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120NIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120NPBFInternational RectifierP-CH. 100V 6.6A IPAK=TO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9120PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+173.21 грн
10+88.04 грн
50+76.19 грн
75+72.80 грн
150+68.57 грн
375+61.80 грн
1050+55.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 100V 5.6 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9120PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+175.79 грн
102+139.42 грн
125+113.23 грн
150+98.52 грн
375+81.56 грн
1050+68.25 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210
Код товару: 77978
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Id, А: 1,9 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,0 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 170/8,9
Примітка: MOSFET
Монтаж: THT
у наявності: 222 шт
  • 192 шт - склад
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+24.00 грн
10+21.60 грн
100+19.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210IRTO-251
на замовлення 46988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+64.80 грн
300+57.16 грн
750+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -1.9A; Idm: -7.6A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.08 грн
11+39.70 грн
75+35.72 грн
300+31.57 грн
750+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.47 грн
10+106.81 грн
100+72.92 грн
500+54.79 грн
1000+50.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9210PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 200V 1.9 Amp
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9214Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A I-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9214
на замовлення 45400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9214PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 250V 2.7 Amp
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9214PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.89 грн
75+75.06 грн
150+67.60 грн
525+53.49 грн
1050+49.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFU9220PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A I-PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220Rochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220NIR07+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+238.48 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO251 200V 3.6A P-CH MOSFET
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVISHAY
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.48 грн
10+143.65 грн
100+131.45 грн
250+122.23 грн
500+101.44 грн
1000+84.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9220PBFVishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9230BFAIRCHILDTO-251
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310
Код товару: 37187
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 400 В
Струм стоку Id, А: 1,1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 7 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 270/13
Монтаж: THT
на замовлення: 15 шт
  • 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+18.00 грн
10+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310VishayP-MOSFET 1.8A 400V 50W IRFU9310 TIRFU9310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+133.07 грн
146+96.89 грн
162+87.30 грн
525+71.01 грн
1050+60.47 грн
2025+54.00 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.23 грн
75+79.14 грн
150+71.91 грн
525+62.06 грн
1050+55.23 грн
2025+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 400V 1.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.89 грн
75+75.09 грн
150+67.65 грн
525+53.56 грн
1050+49.26 грн
2025+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+87.89 грн
180+78.83 грн
197+71.64 грн
525+61.83 грн
1050+55.02 грн
2025+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 400V 1.8 Amp
на замовлення 20993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+76.36 грн
205+68.88 грн
219+64.54 грн
525+61.61 грн
1050+53.59 грн
2025+49.07 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFU9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9310PBF
Код товару: 73659
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9N20DInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 9.4A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9N20DIR04+
на замовлення 24696 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20VishayN-MOSFET 2A 600V 2,5W IRFUC20 TIRFUC20
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 600V 2.0 Amp
на замовлення 4558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.10 грн
124+114.72 грн
150+105.63 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.11 грн
75+151.13 грн
150+137.02 грн
525+112.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.35 грн
75+107.48 грн
150+97.45 грн
525+78.05 грн
1050+72.26 грн
2025+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.31 грн
160+88.72 грн
164+86.18 грн
525+82.26 грн
1050+75.42 грн
2025+71.67 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBF
Код товару: 25612
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 2A TO251AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.99 грн
10+68.57 грн
75+64.42 грн
150+59.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFUC20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.96 грн
75+88.44 грн
150+85.90 грн
525+82.01 грн
1050+75.19 грн
2025+71.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFV064Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFV064Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-258AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW120TUSAMSUNG
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW16N15
на замовлення 788 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW44AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW450IR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW510AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW510ATMIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW520AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW520ATMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW520ATMIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW530AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW530ATMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW530ATM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW530ATMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW530ATMIRTO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW540A
Код товару: 62958
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW540AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW540ATMonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel A-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW540ATMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 30307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW540ATMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW540ATM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW540ATMIRTO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW550AFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW550ATMIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW550ATMONSEMIDescription: ONSEMI - IRFW550ATM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW550ATMFairchild SemiconductorDescription: 40A, 100V, 0.04OHM, N-CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+70.04 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFW610AIR07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 225  [ Наступна Сторінка >> ]