Продукція > 2N6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N6762 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6763 | International Rectifier | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 150W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6763 | IR/MOT | на замовлення 850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6764 | Microsemi Commercial Components Group | Description: MOSFET N-CH 100V TO-204AE TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 445 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6764 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6764T1 | Microchip / Microsemi | MOSFET N Channel MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6764T1 | Microsemi Commercial Components Group | Description: MOSFET N-CH 100V 38A TO-204AE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6765 | IR/MOT | на замовлення 850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6766 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6766 | MICROSEMI | TO-204AE/N-CHANNEL MOSFET 2N6766 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6766 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6766 TO-204AE Код товару: 86782
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6766T1 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO254AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6767 | IR/MOT | на замовлення 850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6768 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6768 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 14A TO3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6768 | Microchip Technology | MOSFET N Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6768 | IR/MOT | на замовлення 850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6768T1 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-254AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6768T1 | Microchip / Microsemi | MOSFET N Channel MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6768T1 | MICROSEMI | TO-254AA/N-CHANNEL MOSFET 2N6768 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6769 | MOTOROLA | на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N676A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N677 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6770 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6770 | Microchip Technology | MOSFET N Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6770 | IR/MOT | на замовлення 850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6770 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6770 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6770PBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6770T1 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-254AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6770T1 | Microchip Technology | MOSFET N Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6771 | Harris Corporation | Description: TRANS NPN 450V 1A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 300mA, 3V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 40 W | на замовлення 2151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6773 | Harris Corporation | Description: TRANS NPN 650V 1A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 300mA, 3V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 40 W | на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6774 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6775 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6776 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N677A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N678 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6780 | HARRIS | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6781 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6781 | HARRIS | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6782 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6782 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6782 | Microchip Technology | MOSFETs N Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6782 | MICROSEMI | кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6782 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6782 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6782JAN | IR | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6782JANTX | MICROSEMI | 2N6782JANTX 2N6782 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6782U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A 18ULCC Packaging: Bulk Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 15W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 18-CLCC Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6783 | HARRIS | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6784 | Microchip Technology | MOSFETs N Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6784 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 2.25A TO39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6784 | Microsemi | Trans MOSFET N-CH 200V 2.25A 3-Pin TO-39 | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6784 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6784 | HARRIS | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6784U | Microsemi Commercial Components Group | Description: MOSFET N-CH 200V 18LCC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6785 | HARRIS | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6785 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6786 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 400V 1.25A 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6786 | HARRIS | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6786 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6787 | International Rectifier | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Power Dissipation (Max): 20W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V | на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6787 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6787 | International Rectifier HiRel Products | 2N6787 | на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6787 | HARRIS | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6788 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6788 | TT Electronics - IoT Solutions | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6788 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin TO-39 | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6788 | HARRIS | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6788 | Microchip Technology | MOSFET N Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6788 | Microsemi Commercial Components Group | Description: MOSFET N-CH 100V TO-205AF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6788 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin TO-39 | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6788U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6789 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6789 | HARRIS | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N678A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N679 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6790 | Microsemi Commercial Components Group | Description: MOSFET N-CH 200V TO-205AF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6790 | Microchip Technology | MOSFETs N Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6790 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 200V 3.5A 3-Pin TO-39 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6790 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6790 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 200V 3.5A 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6790 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6790 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 200V 3.5A 3-Pin TO-39 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6790 | INTERSIL | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6790U | Microsemi Commercial Components Group | Description: MOSFET N-CH 200V 18LCC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6791 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6791 | HARRIS | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6792 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AF Metal Can Packaging: Bulk | на замовлення 10903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6792 | HARRIS | 2N6792 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6792 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6792 | HARRIS | 2N6792 | на замовлення 6839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6792 | HARRIS | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6792TX | HARRIS | 2N6792TX | на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6792TX | Harris Corporation | Description: 2A, 400V, 1.8OHM, N-CHANNEL Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AF Metal Can Packaging: Bulk | на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6793 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6793 | HARRIS | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6794 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

