Продукція > IRL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLML6402GTRPBF-MLMOSLEADERDescription: P -20V SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402PBFIR09+
на замовлення 500018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402PBFInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRInternational Rectifier/InfineonP-канальный ПТ (Vds=20V, Id=3.7A@T=25C, Id=2.2A@T=70C, Rds=0.065 R, P=1.3W, -55 to +150C), упр-е логич. уровнем... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRInternational RectifierTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRINTERNATIONAL RECTIFIERP-Channel HEXFET, -20V, -3.7A, Micro 3 (SOT-23)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
7+48.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 UMW TIRLML6402 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TR SOT23-EIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TR SOT23-EIR
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBFInfineon-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 packa/SOT-23 Транзистори
на замовлення 5838 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
50+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBFTYS-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 packa/SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF
Код товару: 27968
7 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 3,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 633/8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541 21 00 90
у наявності: 83 шт
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 32 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується 28.10.2026
3+9.00 грн
10+8.00 грн
100+7.20 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,7 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 633 @ 10, Qg, нКл = 12 @ 250 мкА, Rds = 65 мОм @ 3,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBFInternational Rectifier-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 packa/SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBFIRLML6402TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 5238 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF-1-MLMOSLEADERDescription: P -20V SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF/IRIR08+;
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRTBFIR09+ TO-92
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6802TRIR04+ SOT-23-6
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 103mOhm; 3,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML9301TR; SP001568914; IRLML9301TR UMW TIRLML9301 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRInfineonTransistor P-MOSFET; 30V; 20V; 64mOhm; 3,6A; 1,3W; -55°C~150°C; Substitute: IRLML9301TR; IRLML9301; ZXMP3F30FHTA zamiennik za IRLML9301; IRLML9301 TIRLML9301
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 559 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
на замовлення 23205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBFTYSSOT-23 Транзистори
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
186+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF
Код товару: 34218
4 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,064 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 388/4,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1950 шт
  • 1832 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 66 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 41 шт - РАДІОМАГ-Харків
4+6.00 грн
10+5.30 грн
100+4.70 грн
1000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
584+24.30 грн
606+23.42 грн
1000+22.65 грн
2500+21.20 грн
5000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 584 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.24 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
на замовлення 23205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT P-Ch -30V -3.6A 64mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3,6 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 388 @ 25, Qg, нКл = 4,8 @ 10 В, Rds = 64 мОм @ 3.6 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 1176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 388 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBFInfineonMOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF
Код товару: 221975
Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,064 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 388/4,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+29.63 грн
500+28.56 грн
1000+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 479 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBFMOSFET 30V 3.6A (15A pulse), P Channel SOT-23-3
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4+173.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 388 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF-(sot-23)---IRLML9301TRPBF-(sot-23) IRLML9301TRPBF SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF-MLMOSLEADERDescription: P -30V SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.59 грн
1000+2.44 грн
3000+2.27 грн
6000+2.09 грн
15000+2.03 грн
30000+1.94 грн
75000+1.79 грн
150000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 270mOhm; 2,3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML9303TR; SP001558866; IRLML9303TR UMW TIRLML9303 UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 755 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
250+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRInfineonTransistor P-MOSFET; 30V; 20V; 270mOhm; 2,3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML9303TR; IRLML9303TR; IRLML9303; SP001558866; IRLML9303; IRLML9303TR TIRLML9303
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 25515 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,3 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 160 @ 25, Qg, нКл = 2 @ 4.5 В, Rds = 165 мОм @ 2,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBFTYSТранзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,3А; 1,25Вт; SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBF
Код товару: 38416
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 2,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,165 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 160/2,0
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2161 шт
  • 1823 шт - склад
  • 135 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 59 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
6+3.50 грн
10+3.00 грн
100+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBFKLSSOT-23, Vds=30V, Id=2.3A, -55 ...+150 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBFUMWSOT-23, Vds=30V, Id=2.3A, -55 ...+150 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT P-Ch -30V -2.3A 165mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBFInfineonТранзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,3А; 1,25Вт; SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBF-MLMOSLEADERDescription: P -30V SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.60 грн
1000+2.45 грн
3000+2.28 грн
6000+2.10 грн
15000+2.03 грн
30000+1.95 грн
75000+1.80 грн
150000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMLS5703TR/2DOEIRF09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMLS6702TR/2COQIRF09+
на замовлення 12018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMR6401TRSLKORP-MOSFET 4.3A 12V 1.3W 0.05Ω IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 SLK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503
Код товару: 41464
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRIR251 SOT23-6
на замовлення 39402 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.04 грн
12+26.55 грн
100+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.20 грн
6000+12.97 грн
9000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 3.2A 100mOhm 6.4nC LogLvl
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1902Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1902TRIR04+ SOT-23-6
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1902TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1902TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 20V 3.2A 100mOhm 4.7nC LogLvl
на замовлення 5077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1902TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2047+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 2047 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1902TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLMS1902TRPBF - IRLMS1902 - PLANAR <40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1902TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRIR04+
на замовлення 9265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 6.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.64 грн
25+30.36 грн
100+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLMS2002TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 20V 6.5A 30mOhm 15nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 6.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBFMOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLMS2002TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBF транзистор
Код товару: 199695
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS4502TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 5.5A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.