Продукція > IRL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML6401TRPBFSOT23-F7PB-FREE | IR | на замовлення 57000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML6401TR\1F1A | IRF | SOT-23 | на замовлення 3260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402 | GOODWORK | Description: 20V3.7A80m@2.5VSOT-23 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6402 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402 | MLCCBASE | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 MLCCBASE TIRLML6402 MLC кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6402 | SLKOR | -20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 packa/SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402 | SLKOR | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 SLKOR TIRLML6402 SLK кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 570 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6402 | HUASHUO | Transistor P-Channel MOSFET; -20V; -/+12V; 45mOhm; -3,9A; 1,31W; -55°C~150°C; Substitute: IRLML6402; SKML6402; IRLML6402TR; IRLML6402 TIRLML6402 HUA кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1601 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6402 | KEXIN | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 75mOhm; 3,2A; 1,7W; -55°C~150°C; IRLML6402 SOT23 KEXIN TIRLML6402 KEX кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6402 | IR | 10+ SOT-23 | на замовлення 110767 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402 | SLKOR | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 SLKOR TIRLML6402 SLK кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6402 | HUASHUO | Transistor P-Channel MOSFET; -20V; -/+12V; 45mOhm; -3,9A; 1,31W; -55°C~150°C; Substitute: IRLML6402; SKML6402; IRLML6402TR; IRLML6402 TIRLML6402 HUA кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 489 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6402 | HXY MOSFET | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 3,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 HXY MOSFET TIRLML6402 HXY кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 880 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6402-(SOT-23) IRLML6402TRPBF | KLS | Micro 3 packa/SOT-23, -20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET Транзистори | на замовлення 364 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6402GPBF | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402GPBF-ML | MOSLEADER | Description: P -20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402GTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402GTRPBF-ML | MOSLEADER | Description: P -20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402PBF | IR | 09+ | на замовлення 500018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402PBF | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 UMW TIRLML6402 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6402TR | INTERNATIONAL RECTIFIER | P-Channel HEXFET, -20V, -3.7A, Micro 3 (SOT-23) | на замовлення 7 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6402TR | Infineon | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 TIRLML6402 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 5360 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6402TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402 UMW TIRLML6402 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2790 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6402TR | VBsemi | P-Channel MOSFET -3A -20V 120m? Substitute: IRLML6402 , SKML6402, IRLML6402TR IRLML6402 VBS TIRLML6402 VBS кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6402TR | International Rectifier/Infineon | P-канальный ПТ (Vds=20V, Id=3.7A@T=25C, Id=2.2A@T=70C, Rds=0.065 R, P=1.3W, -55 to +150C), упр-е логич. уровнем... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402TR | JSMicro Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 13A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402TR JSMICRO TIRLML6402 JSM кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 2975 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6402TR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402TR SOT23-E | IR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML6402TR SOT23-E | IR | на замовлення 2687 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML6402TR-CN | CHIPNOBO | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 73mOhm; 4A; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6402TR; IRLML6402GTR; SP001552740; SP001578888; IRLML6402TR-CN CHIPNOBO TIRLML6402 CNB кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,7 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 633 @ 10, Qg, нКл = 12 @ 250 мкА, Rds = 65 мОм @ 3,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | IRLML6402TRPBF Транзисторы HEXFET | на замовлення 5238 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | Infineon | -20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 packa/SOT-23 Транзистори | на замовлення 731 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML6402TRPBF - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 3.7A, 20V, 65 mOhm, 1.3W, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | TYS | -20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 packa/SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF Код товару: 27968
7
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 20 V Струм стоку Id, A: 3,7 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 633/8 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD УКТЗЕД: 8541 21 00 90 | у наявності: 7772 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | MOSFET 20V 3.7A (22A pulse), P Channel SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | International Rectifier | -20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 packa/SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML6402TRPBF - MOSFET, Transistor, p-Kanal, 3.7A, 20V, 65 mOhm, 1.3W, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF-1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF-1-ML | MOSLEADER | Description: P -20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRPBF/IR | IR | 08+; | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6402TRTBF | IR | 09+ TO-92 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML6802TR | IR | 04+ SOT-23-6 | на замовлення 6100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML9301 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML9301TR | UMW | Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23 Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9301TR | Infineon | Transistor P-MOSFET; 30V; 20V; 64mOhm; 3,6A; 1,3W; -55°C~150°C; Substitute: IRLML9301TR; IRLML9301; ZXMP3F30FHTA zamiennik za IRLML9301; IRLML9301 TIRLML9301 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 8109 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9301TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 103mOhm; 3,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML9301TR; SP001568914; IRLML9301TR UMW TIRLML9301 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm | на замовлення 10466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF Код товару: 34218
4
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Id, A: 3,6 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 388/4.8 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 864 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | TYS | SOT-23 Транзистори | на замовлення 4503 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 264000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3,6 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 388 @ 25, Qg, нКл = 4,8 @ 10 В, Rds = 64 мОм @ 3.6 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 1176 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm | на замовлення 10466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 388 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | MOSFET 30V 3.6A (15A pulse), P Channel SOT-23-3 | на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| |||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -3.6A 64mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 46338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Power dissipation: 1.3W | на замовлення 12073 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | Infineon | MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 264000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 388 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF-(sot-23) IRLML9301TRPBF | --- | SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML9301TRPBF-ML | MOSLEADER | Description: P -30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9303 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML9303TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 270mOhm; 2,3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML9303TR; SP001558866; IRLML9303TR UMW TIRLML9303 UMW кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 755 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9303TR | Infineon | Transistor P-MOSFET; 30V; 20V; 270mOhm; 2,3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML9303TR; IRLML9303TR; IRLML9303; SP001558866; IRLML9303; IRLML9303TR TIRLML9303 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 47945 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9303TR | UMW | Description: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23 Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML9303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9303TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,3 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 160 @ 25, Qg, нКл = 2 @ 4.5 В, Rds = 165 мОм @ 2,3 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML9303TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm | на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9303TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.3A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 4668 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9303TRPBF | TYS | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,3А; 1,25Вт; SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML9303TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML9303TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9303TRPBF | KLS | SOT-23, Vds=30V, Id=2.3A, -55 ...+150 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML9303TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm | на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9303TRPBF | UMW | SOT-23, Vds=30V, Id=2.3A, -55 ...+150 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML9303TRPBF Код товару: 38416
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Id, A: 2,3 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,165 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 160/2.0 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 2716 шт
очікується: 100 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRLML9303TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -2.3A 165mOhm | на замовлення 703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML9303TRPBF | Infineon | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,3А; 1,25Вт; SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML9303TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V | на замовлення 926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML9303TRPBF-ML | MOSLEADER | Description: P -30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLMLS5703TR/2DOE | IRF | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLMLS6702TR/2COQ | IRF | 09+ | на замовлення 12018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

