IRLML6402GTRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML6402GTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IRLML6402GTRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRLML6402GTRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRLML6402GTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl
MOSFETs MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



