Продукція > DI1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DI1A5N60D1 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET DPAK N 600V 1.5A 8OHM Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DI1A5N60D1 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Case: DPAK; TO252AA On-state resistance: 8Ω Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 25W Gate charge: 7.9nC Polarisation: unipolar Drain current: 0.97A | на замовлення 826 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|