Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI1A5N60D1
DI1A5N60D1

DI1A5N60D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C39135CA8620D6&compId=di1a5n60d1.pdf?ci_sign=6e3ea59423a5b16f9cffc657382314985d76aaf1 Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.97A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.70 грн
23+17.26 грн
33+12.12 грн
100+10.85 грн
250+9.58 грн
1000+8.63 грн
2500+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI1A5N60D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET DPAK N 600V 1.5A 8OHM, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DI1A5N60D1 за ціною від 9.98 грн до 36.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI1A5N60D1 DI1A5N60D1 Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C39135CA8620D6&compId=di1a5n60d1.pdf?ci_sign=6e3ea59423a5b16f9cffc657382314985d76aaf1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.97A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.84 грн
14+21.51 грн
25+14.54 грн
100+13.02 грн
250+11.50 грн
1000+10.36 грн
2500+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DI1A5N60D1 Виробник : Diotec Semiconductor di1a5n60d1.pdf Description: MOSFET DPAK N 600V 1.5A 8OHM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.