Продукція > FGD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FGD5T120SH | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FGD5T120SH | On Semiconductor | IGBT 1200V 5A FS3 DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FGD5T120SH | onsemi | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-252AA IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 4.8ns/24.8ns Switching Energy: 247µJ (on), 94µJ (off) Test Condition: 600V, 5A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 6.7 nC Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 12.5 A Power - Max: 69 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FGD5T120SH | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FGD5T120SH | ONSEMI | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 5A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 12.5A Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Version: ESD Application: ignition systems | на замовлення 2489 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||
| FGD5T120SH | ONSEMI | Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85334010 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 69W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FGD5T120SH-D | On Semiconductor | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FGDC-03-00Z(H) | Degson Electronics Co., Ltd. | Тримач для зарядного розєму GBT, Колір = Чорний, Отвори для кріплення 72x72мм, в комплекті 4 гвинта М4*20 з гайками,... Проводи і кабелі Корпус: Прямий Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |