НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FGD5T120SHonsemiIGBTs 1200V 5A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 7490 шт:
термін постачання 231-240 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SHON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.64 грн
5000+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SHONSEMIDescription: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85334010
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 69W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH-DOn SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGDC-03-00Z(H)Degson Electronics Co., Ltd.Тримач для зарядного розєму GBT, Колір = Чорний, Отвори для кріплення 72x72мм, в комплекті 4 гвинта М4*20 з гайками,... Проводи і кабелі Корпус: Прямий Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.