Продукція > ONSEMI > FGD5T120SH
FGD5T120SH

FGD5T120SH onsemi

fgd5t120sh-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4.8ns/24.8ns
Switching Energy: 247µJ (on), 94µJ (off)
Test Condition: 600V, 5A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 6.7 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12.5 A
Power - Max: 69 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGD5T120SH onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: TO-252AA, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 4.8ns/24.8ns, Switching Energy: 247µJ (on), 94µJ (off), Test Condition: 600V, 5A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 6.7 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12.5 A, Power - Max: 69 W.

Інші пропозиції FGD5T120SH за ціною від 45.33 грн до 193.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : ON Semiconductor fgd5t120sh-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : ON Semiconductor fgd5t120sh-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+58.18 грн
5000+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : ON Semiconductor fgd5t120sh-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+62.23 грн
5000+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : ONSEMI 2304669.pdf Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85334010
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.21 грн
500+62.85 грн
1000+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : ONSEMI fgd5t120sh-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 28W
Gate charge: 6.7nC
Collector current: 5A
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Application: ignition systems
Version: ESD
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+139.31 грн
10+89.68 грн
14+66.66 грн
39+63.49 грн
250+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : ONSEMI fgd5t120sh-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 28W
Gate charge: 6.7nC
Collector current: 5A
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Application: ignition systems
Version: ESD
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.17 грн
10+111.75 грн
14+80.00 грн
39+76.19 грн
250+72.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : onsemi fgd5t120sh-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4.8ns/24.8ns
Switching Energy: 247µJ (on), 94µJ (off)
Test Condition: 600V, 5A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 6.7 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12.5 A
Power - Max: 69 W
на замовлення 3688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.30 грн
10+103.33 грн
100+70.46 грн
500+52.92 грн
1000+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : onsemi / Fairchild fgd5t120sh-d.pdf IGBTs 1200V 5A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 20603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.21 грн
10+115.65 грн
100+68.80 грн
500+54.63 грн
1000+48.30 грн
2500+45.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : ONSEMI 2304669.pdf Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85334010
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+193.15 грн
10+123.92 грн
100+85.21 грн
500+62.85 грн
1000+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : ON Semiconductor fgd5t120sh-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : ON Semiconductor fgd5t120sh-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.