Продукція > ONSEMI > FGD5T120SH
FGD5T120SH

FGD5T120SH onsemi

fgd5t120sh-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4.8ns/24.8ns
Switching Energy: 247µJ (on), 94µJ (off)
Test Condition: 600V, 5A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 6.7 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12.5 A
Power - Max: 69 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGD5T120SH onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: TO-252AA, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 4.8ns/24.8ns, Switching Energy: 247µJ (on), 94µJ (off), Test Condition: 600V, 5A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 6.7 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12.5 A, Power - Max: 69 W.

Інші пропозиції FGD5T120SH за ціною від 46.32 грн до 204.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : ON Semiconductor fgd5t120sh-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.16 грн
5000+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : ON Semiconductor fgd5t120sh-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : ON Semiconductor fgd5t120sh-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+57.35 грн
5000+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : ONSEMI 2304669.pdf Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85334010
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.53 грн
500+61.40 грн
1000+53.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : onsemi / Fairchild fgd5t120sh-d.pdf IGBTs 1200V 5A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 20405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.10 грн
10+100.74 грн
100+69.48 грн
500+55.75 грн
1000+48.18 грн
2500+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : ONSEMI 2304669.pdf Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85334010
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.73 грн
10+104.09 грн
100+82.53 грн
500+61.40 грн
1000+53.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : onsemi fgd5t120sh-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 4.8ns/24.8ns
Switching Energy: 247µJ (on), 94µJ (off)
Test Condition: 600V, 5A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 6.7 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12.5 A
Power - Max: 69 W
на замовлення 4262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.83 грн
10+103.85 грн
100+70.82 грн
500+53.20 грн
1000+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : ONSEMI fgd5t120sh-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.72 грн
10+101.30 грн
14+64.96 грн
39+61.09 грн
500+58.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : ONSEMI fgd5t120sh-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.86 грн
10+126.23 грн
14+77.95 грн
39+73.31 грн
500+70.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : ON Semiconductor fgd5t120sh-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH Виробник : ON Semiconductor fgd5t120sh-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.