Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FGD5T120SH
FGD5T120SH

FGD5T120SH ON Semiconductor

fgd5t120sh-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+66.08 грн
5000+64.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGD5T120SH ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: TO-252AA, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 4.8ns/24.8ns, Switching Energy: 247µJ (on), 94µJ (off), Test Condition: 600V, 5A, 30Ohm, 15V, Gate Charge: 6.7 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12.5 A, Power - Max: 69 W.

Інші пропозиції FGD5T120SH за ціною від 64.24 грн до 152.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FGD5T120SH FGD5T120SH ON Semiconductor fgd5t120sh-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.20 грн
5000+64.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH ONSEMI fgd5t120sh-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.55 грн
10+90.59 грн
100+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH ONSEMI 2304669.pdf Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85334010
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH FGD5T120SH ONSEMI 2304669.pdf Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85334010
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH fgd5t120sh-d.pdf
FGD5T120SH
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+66.20 грн
5000+64.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH fgd5t120sh-d.pdf
FGD5T120SH
Виробник: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 5A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 12.5A
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.55 грн
10+90.59 грн
100+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH 2304669.pdf
FGD5T120SH
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85334010
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGD5T120SH 2304669.pdf
FGD5T120SH
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD5T120SH - IGBT, FS-Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85334010
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.