Продукція > FP7
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| FP7G100US60 | Fairch | 08+ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| FP7G50US60 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FP7G50US60 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| FP7G50US60 | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT MODULE 600V 50A 250W EPM7 Packaging: Tube Package / Case: EPM7 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: EPM7 Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 250 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.92 nF @ 30 V | на замовлення 2076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| FP7G50US60 | onsemi | Description: IGBT MODULE 600V 50A 250W EPM7 Packaging: Tube Package / Case: EPM7 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: EPM7 Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 250 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.92 nF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| FP7G75US60 | Fairch | 08+ N/A | на замовлення 4600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| FP7G75US60 | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: EPM7 Packaging: Tube Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.515 nF @ 30 V Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Power - Max: 310 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Supplier Device Package: EPM7 NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) | на замовлення 3394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| FP7G75US60 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FP7G75US60 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|