FP7G50US60

FP7G50US60 Fairchild Semiconductor


FAIRS26501-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT MODULE 600V 50A 250W EPM7
Packaging: Tube
Package / Case: EPM7
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: EPM7
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.92 nF @ 30 V
на замовлення 2076 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+2154.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FP7G50US60 Fairchild Semiconductor

Description: IGBT MODULE 600V 50A 250W EPM7, Packaging: Tube, Package / Case: EPM7, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: EPM7, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 250 W, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.92 nF @ 30 V.

Інші пропозиції FP7G50US60

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FP7G50US60 FP7G50US60 Виробник : onsemi FP7G50US60.pdf Description: IGBT MODULE 600V 50A 250W EPM7
Packaging: Tube
Package / Case: EPM7
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: EPM7
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.92 nF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.