Продукція > IPF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPF10N03LA | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPF10N03LA | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPF10N03LA G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPF129N20NM6 | Infineon Technologies | IFX FET >150 - 400V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPF129N20NM6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 87A; Idm: 348A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 87A Pulsed drain current: 348A Power dissipation: 234W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPF129N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPF129N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IPF129N20NM6ATMA1 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 129µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 234W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 87A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPF129N20NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPF129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 234W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPF129N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPF129N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPF129N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IPF129N20NM6ATMA1 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 129µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 234W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 87A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPF129N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPF129N20NM6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPF129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 234W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPF129N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >150 - 400V | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPF129N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPF13N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPF13N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 30A DPAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPF13N03LA G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO252-3-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPF13N03LA G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO252-3-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPF13N03LAG | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 30A 4-Pin(3+Tab) DPAK | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPF13N03LAG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1023 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPF7473TRPBF | IR | SOP8 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPFB-256 | SI | Mounting Fixings | на замовлення 4855 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPFB-632 | SI | Mounting Fixings | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPFB-832 | SI | Mounting Fixings | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPFB-M3 | SI | Mounting Fixings | на замовлення 2851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPFC-440 | SI | Mounting Fixings | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPFC-832 | SI | Mounting Fixings | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPFC-M3 | SI | Mounting Fixings | на замовлення 907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPFC-M4 | SI | Mounting Fixings | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPFH6N03LA G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |

