IPF129N20NM6ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 53+ | 232.49 грн |
| 60+ | 206.62 грн |
| 100+ | 197.26 грн |
| 250+ | 180.82 грн |
| 500+ | 171.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPF129N20NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPF129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPF129N20NM6ATMA1 за ціною від 162.11 грн до 446.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPF129N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPF129N20NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPF129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPF129N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPF129N20NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPF129N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 87 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPF129N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPF129N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IPF129N20NM6ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 129µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPF129N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 11A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPF129N20NM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IPF129N20NM6ATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 129µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IPF129N20NM6ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 87A; Idm: 348A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 87A Pulsed drain current: 348A Power dissipation: 234W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |