Продукція > SID
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|
| SIDC05D60C6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 15A WAFER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 900 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIDC05D60C6X1SA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 15A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 15A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D120E6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D120E6X1SA3 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D120E6X1SA3 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 5A WAFER Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D120E6X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D120E6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D120EP6 | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D120F6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D120F6X1SA2 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D120F6X1SA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 5A WAFER Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D120F6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D120H6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D120H6X1SA4 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 7.5A WAFER Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 7.5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 7.5A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D120H6X1SA4 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D120H6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D120H8 | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D120H8X1SA2 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D120H8X1SA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 1.2KV 7.5A SAWN Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 7.5A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.97 V @ 7.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D120H8X1SA3 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D120H8X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60AC6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60AC6X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 20A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 20A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60AC6X1SA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60AC6X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60AC6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60AC8 | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60AC8X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60C6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 20A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 20A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60C6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60C6X1SA3 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60C6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60C8 | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60C8X1SA2 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60C8X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60E6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60E6X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 600V 10A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60E6X1SA3 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60E6X1SA3 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 600V 10A SAWN ON FOIL Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60E6X1SA4 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 600V 10A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60E6X7SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 600V 10A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60E6X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60E6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60F6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60F6X1SA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 600V 15A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60F6X1SA3 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60F6X1SA3 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 600V 15A SAWN ON FOIL Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60F6X1SA4 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 600V 15A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60F6X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60F6X7SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 600V 15A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D60F6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D65AC8 | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D65C8 | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D65C8X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 650V 20A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: Die Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.87 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 nA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D65C8X1SA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D90G6 | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC06D90G6X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC07D60AF6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 22.5A WAFER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 927 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIDC07D60AF6X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 22.5A WAFER Current - Average Rectified (Io): 22.5A Technology: Standard Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 22.5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC07D60E6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 15A WAFER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 577 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIDC07D60E6X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 15A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 15A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC07D60F6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 22.5A WAFER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 561 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIDC07D60F6X1SA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 22.5A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 22.5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 22.5A Technology: Standard Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC07D60F6X1SA3 | Infineon Technologies | Description: DIODE SWITCHING 600V WAFER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC07D60F6X1SA5 | Infineon Technologies | Description: DIODE SWITCHING 600V WAFER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC07D60F6X7SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SWITCHING 600V WAFER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D120F6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D120F6X1SA3 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 7A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 7 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 7A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D120F6X1SA3 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D120F6X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D120F6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D120H6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D120H6X1SA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D120H6X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 1.2KV 10A WAFER Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 10A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D120H6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D120H8 | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D120H8X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STANDARD 1200V 150A Packaging: Bulk Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41 V @ 45 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D120H8X1SA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D120H8X1SA4 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D120H8X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D60C6 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 600V 30A SAWN ON FOIL Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: Sawn on foil Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D60C6 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D60C6X1SA2 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D60C6Y | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 30A WAFER Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 30A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Discontinued at Digi-Key | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D60C6Y | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D60C6YX1SA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D60C6ZJ | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODEN-CHIPS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D60C8 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D60C8X1SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Die Current - Average Rectified (Io): 30A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D60C8X1SA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Die Current - Average Rectified (Io): 30A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D60C8X1SA3 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D60C8X1SA3 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Die Current - Average Rectified (Io): 30A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D60C8X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D60C8X7SA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 30A DIE Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: Die Current - Average Rectified (Io): 30A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D65C8 | Infineon / IR | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D65C8X1SA2 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D65C8X1SA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 31428 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D65C8X7SA1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| SIDC09D60E6 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIDC09D60E6 UNSAWN | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 600V 20A SAWN ON FOIL Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sawn on foil Current - Average Rectified (Io): 20A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

