SIDC08D120H6X1SA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 1.2KV 10A WAFER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Sawn on foil
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIDC08D120H6X1SA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GP 1.2KV 10A WAFER, Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: Sawn on foil, Current - Average Rectified (Io): 10A, Technology: Standard, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: Die, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції SIDC08D120H6X1SA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SIDC08D120H6X1SA1 | Infineon Technologies |
Diodes - General Purpose, Power, Switching |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SIDC08D120H6X1SA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Diodes - General Purpose, Power, Switching
Diodes - General Purpose, Power, Switching
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.