Продукція > US5

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
US5MCShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 1.85V@5A 100NS INDEPENDENT TYPE
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.74 грн
50+6.91 грн
100+5.64 грн
500+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5MCMicrodiode ElectronicsUS5MC
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5MCShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 1.85V@5A 100NS INDEPENDENT TYPE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5MCLUGUANG ELECTRONICCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 5A; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 200A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.35 грн
25+27.31 грн
100+13.90 грн
500+5.73 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5MC-HFComchip TechnologyRectifiers RECTIFIER ULTRA FAST RECOVERY 1000V 5A SMC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US5MC-HFComchip TechnologyDescription: DIODE STANDARD 1000V 5A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5MC-HFComchip TechnologyRectifier Diode Switching 1KV 5A 75ns T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5U1ROHM09+
на замовлення 124018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US5U1/U01ROHM
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US5U1TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
10+38.27 грн
100+26.50 грн
500+20.78 грн
1000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5U1TRROHM SemiconductorMOSFETs N-CH 30V 1.5A
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US5U1TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5U1TR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US5U2ROHMSOT353
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US5U2 TRROHMSOT353-U02 PB-FR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US5U2 TR SOT353-U02 PB-FROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US5U29ROHMSOT353
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US5U29TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US5U29TR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US5U29TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5U29TRROHM SemiconductorMOSFET P-CH 20V 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US5U2TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US5U2TRROHM SemiconductorMOSFET N-CH 30V 1.4A
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US5U2TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5U2TRSOT353-
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US5U2TRSOT353-U02PB-FREEROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US5U3ROHMSOT353
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US5U3/U03ROHM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US5U30
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US5U30TRROHM SemiconductorMOSFETs P-CH 20V 1A
на замовлення 3102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US5U30TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5U30TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US5U35
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US5U35TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 700mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5U35TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 700mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.52 грн
10+44.08 грн
100+30.52 грн
500+23.93 грн
1000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5U35TRROHM SemiconductorMOSFET P Chan-45V+/-0.7A 4V Drive
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US5U38TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
11+27.93 грн
100+16.76 грн
500+14.57 грн
1000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5U38TRROHM SemiconductorMOSFET P Chan-20V+/-1A 2.5V Drive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US5U38TRRohmMOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US5U38TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5U38TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US5U3TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US5U3TRROHM SemiconductorMOSFET 2.5V Drive N-Chan + Sch Barrier Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US5U3TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TUMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
10+38.27 грн
100+26.50 грн
500+20.78 грн
1000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3