Продукція > US5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| US5U1/U01 | ROHM | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| US5U1TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT5 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| US5U1TR | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| US5U1TR | ROHM Semiconductor | MOSFETs N-CH 30V 1.5A | на замовлення 4760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| US5U1TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: TUMT5 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| US5U2 | ROHM | SOT353 | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| US5U2 TR | ROHM | SOT353-U02 PB-FR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| US5U2 TR SOT353-U02 PB-F | ROHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| US5U29 | ROHM | SOT353 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| US5U29TR | ROHM Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| US5U29TR | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| US5U29TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TUMT5 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| US5U29TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: TUMT5 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| US5U2TR | ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.4A | на замовлення 1415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| US5U2TR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| US5U2TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: TUMT5 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| US5U2TRSOT353- | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| US5U2TRSOT353-U02PB-FREE | ROHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| US5U3 | ROHM | SOT353 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| US5U3/U03 | ROHM | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| US5U30 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| US5U30TR | ROHM Semiconductor | MOSFETs P-CH 20V 1A | на замовлення 3102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| US5U30TR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| US5U30TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: TUMT5 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) FET Feature: Schottky Diode (Isolated) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| US5U35 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| US5U35TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: TUMT5 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 700mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| US5U35TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Supplier Device Package: TUMT5 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 700mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| US5U35TR | ROHM Semiconductor | MOSFET P Chan-45V+/-0.7A 4V Drive | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| US5U38TR | Rohm | MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| US5U38TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| US5U38TR | ROHM Semiconductor | MOSFET P Chan-20V+/-1A 2.5V Drive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| US5U38TR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| US5U38TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| US5U3TR | ROHM Semiconductor | MOSFET 2.5V Drive N-Chan + Sch Barrier Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| US5U3TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): 12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: TUMT5 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| US5U3TR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): 12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: TUMT5 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |

