Продукція > VT6

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
VT6X12T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN+NPN 50VCEO 0.1A VMT6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X1T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN 20V 0.2A 6VMT
на замовлення 6165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
12+26.64 грн
100+16.61 грн
500+10.67 грн
1000+8.21 грн
2000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X1T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TR NPNX2 20V VCEO
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X1T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN 20V 0.2A 6VMT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X2T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.1A 6PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X2T2RROHMDescription: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X2T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN 50V 0.1A 6VMT
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: VMT6
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
на замовлення 17248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
11+28.30 грн
100+17.63 грн
500+11.32 грн
1000+8.71 грн
2000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X2T2RROHMDescription: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X2T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS 2NPN 50V 0.1A 6VMT
Package / Case: 6-SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: VMT6
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.19 грн
16000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z1T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z1T2RROHMDescription: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z1T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT
на замовлення 15924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
12+26.64 грн
100+16.61 грн
500+10.67 грн
1000+8.21 грн
2000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z1T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN/PNP
на замовлення 7949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z1T2RROHMDescription: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z2T2RROHMDescription: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z2T2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 50V 100MA VMT6
Supplier Device Package: VMT6
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z2T2RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 50V 0.1A 6PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z2T2RROHMDescription: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3