Продукція > VT6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VT6X12T2R | ROHM | Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 7450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VT6X1T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2NPN 20V 0.2A 6VMT | на замовлення 6165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VT6X1T2R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT TR NPNX2 20V VCEO | на замовлення 476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VT6X1T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2NPN 20V 0.2A 6VMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VT6X2T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2NPN 50V 0.1A 6VMT Package / Case: 6-SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: VMT6 Frequency - Transition: 350MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VT6X2T2R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.1A 6PIN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VT6X2T2R | ROHM | Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VT6X2T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2NPN 50V 0.1A 6VMT Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 150mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: VMT6 Frequency - Transition: 350MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA | на замовлення 17248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VT6X2T2R | ROHM | Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VT6Z1T2R | ROHM | Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 120 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: VMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN, PNP DC-Kollektorstrom: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VT6Z1T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VT6Z1T2R | ROHM | Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 120 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: VMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN, PNP DC-Kollektorstrom: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VT6Z1T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT | на замовлення 15924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VT6Z1T2R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP | на замовлення 7949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VT6Z2T2R | ROHM | Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 6279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VT6Z2T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP 50V 100MA VMT6 Supplier Device Package: VMT6 Frequency - Transition: 350MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VT6Z2T2R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 50V 0.1A 6PIN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VT6Z2T2R | ROHM | Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 6279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

