Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VT6Z1T2R Rohm Semiconductor
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 120, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 150, Bauform - Transistor: VMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: NPN, PNP, DC-Kollektorstrom: 200, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції VT6Z1T2R за ціною від 7.30 грн до 36.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
VT6Z1T2R | Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT |
на замовлення 15924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VT6Z1T2R | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP |
на замовлення 7949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
VT6Z1T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 120 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: VMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN, PNP DC-Kollektorstrom: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
VT6Z1T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 120 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: VMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN, PNP DC-Kollektorstrom: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| VT6Z1T2R |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT
Description: TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT
на замовлення 15924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 36.42 грн |
| 12+ | 26.34 грн |
| 100+ | 16.42 грн |
| 500+ | 10.55 грн |
| 1000+ | 8.11 грн |
| 2000+ | 7.30 грн |
| VT6Z1T2R |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP
Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP
на замовлення 7949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| VT6Z1T2R |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VT6Z1T2R |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)