Продукція > XP6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| XP6NA2R5H | YAGEO XSemi | MOSFETs N-MOS 60V 75A 2.5mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| XP6NA3R0H | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO252 | на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| XP6NA3R0H | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 3000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP6NA3R0 Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| XP6NA3R0H | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| XP6NA3R0H | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 60V 75A TO-252 | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| XP6NA3R0H | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 3000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP6NA3R0 Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| XP6NA3R5H | YAGEO XSemi | MOSFETs N-MOS 60V 75A 3.5mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| XP6NA3R5IT | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET N-CH 60V 72A TO220CFM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta), 32.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220CFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 50 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| XP6NA3R5IT | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 60V 72A TO-220CFM-T | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| XP6NA3R5IT | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R5IT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 72 A, 3500 µohm, TO-220CFM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 1.92W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220CFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP6NA3R5 Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| XP6NA3R8H | YAGEO XSemi | MOSFETs N-MOS 60V 75A 3.8mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| XP6NA4R2H | YAGEO XSemi | MOSFETs N-MOS 60V 75A 4.2mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| XP6NA6R5H | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP6NA6R5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 66 A, 6500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP6NA6R5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| XP6NA6R5H | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP6NA6R5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 66 A, 6500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP6NA6R5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| XP6NA6R5H | YAGEO XSemi | MOSFETs N-CH 60V 66A TO-252 | на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| XP6NA6R5LMT-L | YAGEO | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| XP6P025H | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET P CH -60V 40A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| XP6P250N | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1.25W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP6P250N Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| XP6P250N | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| XP6P250N | YAGEO XSEMI | Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1.25W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP6P250N Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| XP6P250N | YAGEO XSemi | MOSFETs P-CH -60V -1. 6A SOT-23S | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| XP6P250N | YAGEO XSEMI | Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| XP6R | COAST | Description: COAST - XP6R - Taschenlampe, Handtaschenlampe, LED, 400lm, 180m, Lithium-Ionen-Akku, CR123-Zelle tariffCode: 85131000 Strahlreichweite: 180m productTraceability: No Taschenlampe: Handtaschenlampe rohsCompliant: NA Stromquelle: Akku, CR123-Lithiumbatterien x 1 (nicht im Lieferumfang enthalten) Material des Taschenlampengehäuses: - Lichtquelle: LED euEccn: NLR Lumenpaket: 400lm isCanonical: Y hazardous: true hazardCode: 3481 rohsPhthalatesCompliant: NA usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |