
XP6P250N YAGEO XSEMI

Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6P250N Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 21.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP6P250N YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6P250N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.25 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23S, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP6P250N Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції XP6P250N за ціною від 9.64 грн до 92.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
XP6P250N | Виробник : YAGEO XSemi |
![]() |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
XP6P250N | Виробник : YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP6P250N Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
XP6P250N | Виробник : YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
XP6P250N | Виробник : YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |