Продукція > 2N5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5823 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5823 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Current | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5823 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5823 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Current | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5823 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5823 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Small Signal Transistor | на замовлення 1155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5823 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 70Vcbo 70Vces 60Vceo 5.0Vebo 750mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5823 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.75A 625mW 3-Pin TO-92-18R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5823 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5823 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5823 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Current | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5823 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 60V 750MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5823 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 60V,750mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Current | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5829 | MOT | CAN | на замовлення 648 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N582A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N583 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5830 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk | на замовлення 15590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| 2N5830 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5830 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 39219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8013 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5830 | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 100V 0.2A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 40597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| 2N5830 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk | на замовлення 7870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| 2N5830 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5830_D26Z | onsemi | Description: TRANS NPN 100V 0.2A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5830_D26Z | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5830_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5832 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5833 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 18847
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 Гранична частота fT: 100 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 180 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 200 В Струм колектора Ic, А: 0,3 А Коефіцієнт передачі струму h21: 250 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5834 | MOT | CAN | на замовлення 913 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5835 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5836 | MOT | CAN3 | на замовлення 687 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5837 | MOT | CAN3 | на замовлення 853 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5838 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5838 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5839 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5839 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N583A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N584 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5840 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5840 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5841 | MOT | CAN | на замовлення 541 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5842 | MOT | CAN | на замовлення 918 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5843 | MOT | CAN | на замовлення 329 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5844 | MOT | CAN | на замовлення 841 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N584A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N585 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5851 | MOT | CAN | на замовлення 657 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5852 | MOT | CAN | на замовлення 295 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5853 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5853 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 10A TO-61 Power - Max: 115 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: TO-61 Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5854 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5854 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 10A TO-61 Power - Max: 115 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Transistor Type: PNP Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Packaging: Bulk Supplier Device Package: TO-61 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5855 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5856 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5857 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5858 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5859 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5859 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5859 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5859A | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N585A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N586 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5860 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5860A | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5861 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5861 | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5861 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5861A | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5864 | MOT | CAN | на замовлення 328 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5865 | MOT | CAN | на замовлення 687 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5867 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5867 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5867 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 5A TO-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-3 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 87.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5868 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5868 | Microchip Technology | Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5868 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5869 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N586A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N587 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5871 | HARRIS | 2N5871 | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| 2N5871 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5871 | Harris Corporation | Description: TRANS PNP 60V 7A TO-3 Power - Max: 115 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Supplier Device Package: TO-3 Frequency - Transition: 4MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2.5 @ 4A, 20V Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| 2N5872 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5872 | Microchip Technology | Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5873 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5873 | Microchip Technology | Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5874 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5874 | Microchip Technology | Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5875 | Microchip Technology | Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5875 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5875 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5875 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5876 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5876 | Microchip Technology | Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5877 | Microchip Technology | Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5877 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 60V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5877 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2N5877 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5877 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 10A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 160 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5878 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5878 | Microchip Technology | Description: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5878 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 80V 10A TO-3 Power - Max: 150 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: TO-3 Frequency - Transition: 4MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.5A, 10A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 220 шт В кошику од. на суму грн. |

