2N5830 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 0.2A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 100V 0.2A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 43741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6662+ | 3.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5830 Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 0.2A TO92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції 2N5830 за ціною від 3.44 грн до 3.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N5830 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5830 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 43741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
2N5830 | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk |
товар відсутній |
||||||
2N5830 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 0.2A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 625 mW |
товар відсутній |
||||||
2N5830 | Виробник : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
товар відсутній |