Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 11 22 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 44 55 66 77 88 99 110 117  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP4NK60ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP4NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60Z
Код товару: 2561
2 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,2 Ом
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 130 шт
  • 91 шт - склад
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
2+18.00 грн
10+16.00 грн
100+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+65.17 грн
100+62.45 грн
500+58.96 грн
1000+55.34 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.38 грн
5+96.36 грн
10+85.65 грн
50+66.71 грн
100+60.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60Z TSTP4NK60Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+57.39 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60ZSTMN-кан. MOSFET 600V, 4.0A, 1.76Ом, 70Вт, TO-220 (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.04 грн
50+83.39 грн
100+74.91 грн
500+56.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60ZFP
Код товару: 3364
2 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 510/18.8
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 118 шт
  • 61 шт - склад
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+16.50 грн
10+14.90 грн
100+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.40 грн
133+105.89 грн
500+90.20 грн
1000+69.15 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.53 грн
5+112.01 грн
10+96.36 грн
25+79.89 грн
50+70.00 грн
100+63.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60ZFPSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60ZFP TSTP4NK60ZFP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.87 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.05 грн
10+126.09 грн
100+106.47 грн
500+87.46 грн
1000+64.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.90 грн
50+95.72 грн
100+86.20 грн
500+65.21 грн
1000+60.17 грн
2000+55.94 грн
5000+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60ZFPSTMN-кан. MOSFET 600V, 4.0A, 1.76Ом, 25Вт, TO-220FP (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs PowerMESH Zener SuperMESH
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP4NK60ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60ZFPSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 510 @ 25, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 2 Ом @ 2 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 50 мкА, Р, Вт = 25 Вт, Тексп, °C = до +150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60ZFP-E
на замовлення 144003 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK60ZPST09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+68.36 грн
217+64.99 грн
500+58.38 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.97 грн
50+92.13 грн
100+82.94 грн
500+62.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.29 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80ZSTN-MOSFET 3A 800V 80W 3Ω STP4NK80Z TSTP4NK80
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.08 грн
12+67.66 грн
100+64.33 грн
500+55.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 3.0 A Zener SuperMESH
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80Z
Код товару: 2322
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,9 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 575/22.5
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 80W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+185.37 грн
5+130.13 грн
10+108.71 грн
25+84.83 грн
50+71.65 грн
100+62.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+63.29 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80ZSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80ZFPSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.03 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80ZFP
Код товару: 216453
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+147.42 грн
5+135.07 грн
10+112.83 грн
25+82.36 грн
50+67.53 грн
100+63.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80ZFPSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Ciss, пФ @ Uds, В = 575 @ 25, Qg, нКл = 22,5 @ 10 В, Rds = 3,5 Ом @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 50 мкА, Р, Вт = 25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.52 грн
50+103.21 грн
100+93.09 грн
500+70.72 грн
1000+65.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK80ZTO220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK90FI
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NM60
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NА60 (транзистор)
Код товару: 48418
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP5-3Phoenix ContactUnspecified Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP50Banner EngineeringEthernet Cables / Networking Cables Cordset: Double-Ended RJ45; 8-pin Straight Male; 8-pin Straight Male; 15.5 m 8x24 Black PVC Shielded Jacket; PVC Black
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP50Banner Engineering CorporationDescription: CABLE MOD 8P8C PLUG TO PL 50.84'
Features: Molded Plugs
Packaging: Box
Connector Type: Plug to Plug
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Length: 50.84' (15.50m)
Shielding: Shielded
Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet)
Cable Type: Round Cable
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP50203305STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 305mm; W: 203mm; Thk: 76um; 100pcs; <100GΩ
Version: ESD
Material: metallized bubble film bag
Type of antistatic accessories: protection bag
Thickness: 76µm
Length: 305mm
Width: 203mm
Quantity in set/package: 100pcs.
Surface resistance: <100GΩ
Closing system: adhesive strip
Conform to the norm: ANSI ESD S541; EN 61340-5-1
Kind of protective bag: bubble; metallised; shielding
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+4675.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP50406508STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 508mm; W: 406mm; Thk: 76um; 100pcs; <100GΩ
Type of antistatic accessories: protection bag
Version: ESD
Length: 508mm
Width: 406mm
Thickness: 76µm
Quantity in set/package: 100pcs.
Closing system: adhesive strip
Conform to the norm: ANSI ESD S541; EN 61340-5-1
Material: metallized bubble film bag
Surface resistance: <100GΩ
Kind of protective bag: bubble; metallised; shielding
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N05
на замовлення 7684 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N05FI
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N05L
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N05LFI
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N06
Код товару: 62656
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N06STMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N06ST MICROELECTRONICS-n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N06F1
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N06FI
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N06L
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N06LFI
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N60DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 23A; Idm: 137A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 137A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N60DM6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP50N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 36A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.17 грн
50+260.14 грн
100+238.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N65DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N65DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 33A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N65DM6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 120A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 91mΩ
Pulsed drain current: 120A
Polarisation: unipolar
Drain current: 33A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP50N65DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP50NE06
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP50NE06L
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP50NE08ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP50NE08STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP50NE08STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 80 Volt 50 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP50NE10
Код товару: 124984
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP50NE10STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP50NE10
на замовлення 18530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP50NE10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP50NE10LST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP50NE10LSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP50NF06
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP50NF06FI
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP50NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.40 грн
10+128.50 грн
25+124.07 грн
100+114.36 грн
500+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP50NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 45A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 25 V
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.52 грн
50+104.13 грн
100+94.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP50NF25STMicroelectronicsMOSFETs N Ch 250V 0.21 15A Pwr MOSFET
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP50NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP50NF25STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+138.96 грн
110+128.09 грн
114+123.68 грн
119+114.00 грн
500+103.47 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP52SAMSUMBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP520
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP520H100CFP
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP52N25M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 250V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP52N25M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP52N25M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 250V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+166.90 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP52P3LLH6STMicroelectronicsMOSFET P-channel 30 V, 0.01 Ohm typ 52 A STripFET H6 Power MOSFET
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP52P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 52A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.10 грн
10+98.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP5340U
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP5515A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP5541COB
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP5550CEPSON04+
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 11 22 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 44 55 66 77 88 99 110 117  Наступна Сторінка >> ]