Продукція > stp
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP4NK60Z | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STP4NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 70W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP4NK60Z Код товару: 2561
2
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 600 В Струм стоку Idd, А: 4 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,2 Ом Монтаж: THT УКТЗЕД: 8541290010 | у наявності: 130 шт
|
| ||||||||||||||
| STP4NK60Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP4NK60Z | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 216 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP4NK60Z | ST | Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60Z TSTP4NK60Z кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP4NK60Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP4NK60Z | STM | N-кан. MOSFET 600V, 4.0A, 1.76Ом, 70Вт, TO-220 (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP4NK60Z | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V | на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP4NK60ZFP Код товару: 3364
2
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220FP Напруга сток-витік Uds, В: 600 В Струм стоку Idd, А: 4 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 510/18.8 Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT УКТЗЕД: 8541290010 | у наявності: 118 шт
|
| ||||||||||||||
| STP4NK60ZFP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 6780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP4NK60ZFP | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 25W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 227 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP4NK60ZFP | ST | Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2Ohm; 4A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP4NK60ZFP TSTP4NK60ZFP кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 290 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP4NK60ZFP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 6794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP4NK60ZFP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V | на замовлення 5462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP4NK60ZFP | STM | N-кан. MOSFET 600V, 4.0A, 1.76Ом, 25Вт, TO-220FP (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP4NK60ZFP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP4NK60ZFP | STMicroelectronics | MOSFETs PowerMESH Zener SuperMESH | на замовлення 1059 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP4NK60ZFP | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STP4NK60ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm | на замовлення 1309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP4NK60ZFP | STMicroelectronics | N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 4 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 510 @ 25, Qg, нКл = 26 @ 10 В, Rds = 2 Ом @ 2 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 50 мкА, Р, Вт = 25 Вт, Тексп, °C = до +150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP4NK60ZFP-E | на замовлення 144003 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP4NK60ZP | ST | 09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP4NK80Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP4NK80Z | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V | на замовлення 843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP4NK80Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP4NK80Z | ST | N-MOSFET 3A 800V 80W 3Ω STP4NK80Z TSTP4NK80 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 96 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP4NK80Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP4NK80Z | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 800 Volt 3.0 A Zener SuperMESH | на замовлення 1043 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP4NK80Z Код товару: 2322
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 800 В Струм стоку Idd, А: 4 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,9 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 575/22.5 Монтаж: THT УКТЗЕД: 8541290010 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP4NK80Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP4NK80Z | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A Power dissipation: 80W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 152 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP4NK80Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP4NK80Z | STM | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP4NK80ZFP | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A | на замовлення 1353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP4NK80ZFP | STM | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP4NK80ZFP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP4NK80ZFP Код товару: 216453
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STP4NK80ZFP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP4NK80ZFP | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 25W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.89A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 221 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP4NK80ZFP | STMicroelectronics | N-канальний ПТ, Udss, В = 800, Ciss, пФ @ Uds, В = 575 @ 25, Qg, нКл = 22,5 @ 10 В, Rds = 3,5 Ом @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4,5 В @ 50 мкА, Р, Вт = 25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP4NK80ZFP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP4NK80ZFP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V | на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP4NK80ZFP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP4NK80ZTO220 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP4NK90FI | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP4NM60 | на замовлення 38000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP4NА60 (транзистор) Код товару: 48418
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STP5-3 | Phoenix Contact | Unspecified Connectors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP50 | Banner Engineering | Ethernet Cables / Networking Cables Cordset: Double-Ended RJ45; 8-pin Straight Male; 8-pin Straight Male; 15.5 m 8x24 Black PVC Shielded Jacket; PVC Black | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP50 | Banner Engineering Corporation | Description: CABLE MOD 8P8C PLUG TO PL 50.84' Features: Molded Plugs Packaging: Box Connector Type: Plug to Plug Color: Black Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Length: 50.84' (15.50m) Shielding: Shielded Number of Positions/Contacts: 8p8c (RJ45, Ethernet) Cable Type: Round Cable | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP50203305 | STATICTEC | Category: ESD Bags and Foils Description: Protection bag; ESD; L: 305mm; W: 203mm; Thk: 76um; 100pcs; <100GΩ Version: ESD Material: metallized bubble film bag Type of antistatic accessories: protection bag Thickness: 76µm Length: 305mm Width: 203mm Quantity in set/package: 100pcs. Surface resistance: <100GΩ Closing system: adhesive strip Conform to the norm: ANSI ESD S541; EN 61340-5-1 Kind of protective bag: bubble; metallised; shielding | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP50406508 | STATICTEC | Category: ESD Bags and Foils Description: Protection bag; ESD; L: 508mm; W: 406mm; Thk: 76um; 100pcs; <100GΩ Type of antistatic accessories: protection bag Version: ESD Length: 508mm Width: 406mm Thickness: 76µm Quantity in set/package: 100pcs. Closing system: adhesive strip Conform to the norm: ANSI ESD S541; EN 61340-5-1 Material: metallized bubble film bag Surface resistance: <100GΩ Kind of protective bag: bubble; metallised; shielding | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP50N05 | на замовлення 7684 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP50N05FI | на замовлення 18530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP50N05L | на замовлення 18530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP50N05LFI | на замовлення 18530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP50N06 Код товару: 62656
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STP50N06 | STMicroelectronics | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP50N06 | ST MICROELECTRONICS | -n 60V 0.028 50.0A 125W TO-220 | на замовлення 1169 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP50N06F1 | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP50N06FI | на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP50N06L | на замовлення 18530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP50N06LFI | на замовлення 18530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP50N60DM6 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 23A; Idm: 137A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Pulsed drain current: 137A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP50N60DM6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package | на замовлення 179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP50N60DM6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STP50N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP50N60DM6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 36A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V | на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP50N65DM6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package | на замовлення 743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP50N65DM6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP50N65DM6 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 120A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 52.5nC Kind of package: tube Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 91mΩ Pulsed drain current: 120A Polarisation: unipolar Drain current: 33A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP50N65DM6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP50NE06 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP50NE06L | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP50NE08 | ST | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STP50NE08 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP50NE08 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 80 Volt 50 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP50NE10 Код товару: 124984
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STP50NE10 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP50NE10 | на замовлення 18530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP50NE10 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP50NE10L | ST | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STP50NE10L | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP50NF06 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP50NF06FI | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP50NF25 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP50NF25 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 25 V | на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP50NF25 | STMicroelectronics | MOSFETs N Ch 250V 0.21 15A Pwr MOSFET | на замовлення 1514 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP50NF25 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP50NF25 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP52 | SAMSUM | BGA | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP520 | на замовлення 33 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP520H100CFP | на замовлення 24 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP52N25M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 250V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP52N25M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 250V 28A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP52N25M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 250V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP52P3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFET P-channel 30 V, 0.01 Ohm typ 52 A STripFET H6 Power MOSFET | на замовлення 2393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP52P3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 52A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP5340U | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP5515A | на замовлення 48 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP5541COB | на замовлення 590 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP5550C | EPSON | 04+ | на замовлення 135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

