STP50N65DM6 STMicroelectronics
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 581.38 грн |
| 10+ | 491.21 грн |
| 25+ | 387.50 грн |
| 100+ | 355.95 грн |
| 250+ | 335.40 грн |
| 500+ | 314.11 грн |
| 1000+ | 270.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP50N65DM6 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 16.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP50N65DM6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STP50N65DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STP50N65DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 120A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 52.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A On-state resistance: 91mΩ Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
STP50N65DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STP50N65DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
STP50N65DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 120A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate charge: 52.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A On-state resistance: 91mΩ Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |