Продукція > Jan
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTXV2N1613L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO-39 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/181 Grade: Military | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| JANTXV2N1613L | на замовлення 123 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| JANTXV2N1613L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 500mA 800mW NPN Long-Lead Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N1711S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 75V 500mA 800mW NPN Short-Lead Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N1711S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 30V 0.5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/225 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N1714 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N1714 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N1714-LC | Microchip Technology | Microchip Technology Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N1714S | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N1714S | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N1714S-LC | Microchip Technology | Microchip Technology Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N1715 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N1715S | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N1716S | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N1716S | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N1717 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N1890S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO39 Qualification: MIL-PRF-19500/225 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Grade: Military Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N1893 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 500mA 800mW NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N1893 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/182 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N1893S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 500mA 800mW NPN Short-Lead Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N1893S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 3 W Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/182 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2060 | Microsemi Corporation | Description: TRANS 2NPN 60V 500MA TO78 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2060L | Microsemi Corporation | Description: TRANS 2NPN 60V 0.5A TO78 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2060L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2060L/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2218 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/251 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 295 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2218 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 295 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2218/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 286 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2218A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2218A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2218AL | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/251 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 144 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2218AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 144 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2218AL/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 142 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2219 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 144 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2219 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 30V 0.8A TO-205AD Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-205AD Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/251 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 144 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2219/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 142 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2219A | MICROSEMI | TO-39NPN TRANSISTOR кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2219A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-205AD Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-205AD Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/251 | на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| JANTXV2N2219A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| Jantxv2N2219A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 183 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2219AL | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/251 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 141 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2219AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 141 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2219AL/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 139 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2219AP | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN PinD Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2219AP | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2219L | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 144 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2219L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 144 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2221A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 142 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2221A | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/255 Grade: Military | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 142 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2221A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 140 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2221AL | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/255 Grade: Military | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 129 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2221AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Long-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 129 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2221AL/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 128 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2221AUA | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2221AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2221AUA/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2221AUA/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 650 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2221AUB | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 117 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2221AUB | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB Qualification: MIL-PRF-19500/255 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Grade: Military Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2221AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2221AUB/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2222A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT | на замовлення 1576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| JANTXV2N2222A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/255 | на замовлення 582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| JANTXV2N2222A | MICROSEMI | TO-18/NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR 2N2222 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2222A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 375 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2222AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Long-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2222AL | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 156 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2222AL/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 154 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2222AP | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2222AP | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW PinD Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2222AUA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A 4-SMD Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 4-SMD Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Jantxv2N2222AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT SMT | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| JANTXV2N2222AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A 4-SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 4-SMD Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2222AUA/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT SMT TR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2222AUB | MICROSEMI | UB/NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR JANTXV2N2222 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2222AUB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2222AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT | на замовлення 369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| JANTXV2N2222AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT _ UB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2222AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 203 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2222AUBP | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 102 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2222AUBP | Microchip / Microsemi | Microchip Technology | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2222AUBP/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 101 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2222AUBP/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW PinD 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 101 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2323 | Microsemi Corporation | Description: SCR 50V TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -65°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 2 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - On State (It (AV)) (Max): 220 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Supplier Device Package: TO-5 Grade: Military Part Status: Obsolete Voltage - Off State: 50 V Qualification: MIL-PRF-19500/276 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2323A | Microsemi Corporation | Description: SCR 50V TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -65°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 2 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 20 µA Current - On State (It (AV)) (Max): 220 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 600 mV Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Obsolete Voltage - Off State: 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2323AS | Microsemi Corporation | Description: SCR 50V TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -65°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 2 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 20 µA Current - On State (It (AV)) (Max): 220 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 600 mV Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Obsolete Voltage - Off State: 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2323AU4 | Microsemi Corporation | Description: SCR 50V U4 Voltage - Off State: 50 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: U4 Current - Off State (Max): 10 µA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 600 mV Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 20 µA Current - Hold (Ih) (Max): 2 mA Operating Temperature: -65°C ~ 125°C SCR Type: Standard Recovery Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2323S | Microsemi Corporation | Description: SCR 50V TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -65°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 2 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - On State (It (AV)) (Max): 220 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Obsolete Voltage - Off State: 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2323U4 | Microsemi Corporation | Description: SCR 50V U4 Voltage - Off State: 50 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: U4 Current - Off State (Max): 10 µA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Hold (Ih) (Max): 2 mA Operating Temperature: -65°C ~ 125°C SCR Type: Standard Recovery Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2324 | Microsemi Corporation | Description: SCR 100V TO5 Voltage - Off State: 100 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-5 Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Current - On State (It (AV)) (Max): 220 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Hold (Ih) (Max): 2 mA Operating Temperature: -65°C ~ 125°C SCR Type: Sensitive Gate Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2324A | Microsemi Corporation | Description: SCR 100V TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -65°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 2 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 20 µA Current - On State (It (AV)) (Max): 220 mA Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 600 mV Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Obsolete Voltage - Off State: 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2324AS | Microsemi Corporation | Description: SCR 100V TO39 Voltage - Off State: 100 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 600 mV Current - On State (It (AV)) (Max): 220 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 20 µA Current - Hold (Ih) (Max): 2 mA Operating Temperature: -65°C ~ 125°C SCR Type: Sensitive Gate Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2324AU4 | Microsemi Corporation | Description: SCR 100V U4 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount SCR Type: Standard Recovery Operating Temperature: -65°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 2 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 20 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 600 mV Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: U4 Part Status: Obsolete Voltage - Off State: 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2324S | Microsemi Corporation | Description: SCR 100V TO39 Voltage - Off State: 100 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Current - On State (It (AV)) (Max): 220 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Hold (Ih) (Max): 2 mA Operating Temperature: -65°C ~ 125°C SCR Type: Sensitive Gate Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2324U4 | Microsemi Corporation | Description: SCR 100V U4 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount SCR Type: Standard Recovery Operating Temperature: -65°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 2 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: U4 Part Status: Obsolete Voltage - Off State: 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2325 | Microsemi Corporation | Description: SCR 150V TO5 Voltage - Off State: 150 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-5 Current - Off State (Max): 10 µA Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.2 V Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Current - On State (It (AV)) (Max): 1.6 A Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Hold (Ih) (Max): 2 mA Operating Temperature: -65°C ~ 125°C SCR Type: Sensitive Gate Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2325A | Microsemi Corporation | Description: SCR 150V TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -65°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 2 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 20 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 1.6 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 600 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.2 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Obsolete Voltage - Off State: 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2325AS | Microsemi Corporation | Description: SCR 150V TO5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2325AU4 | Microsemi Corporation | Description: SCR 150V U4 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -65°C ~ 125°C Current - Hold (Ih) (Max): 2 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 20 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 15A @ 60Hz Current - On State (It (AV)) (Max): 1.6 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 600 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 2.2 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: U4 Part Status: Obsolete Voltage - Off State: 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| JANTXV2N2325S | Microsemi Corporation | Description: SCR 150V TO5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |