Продукція > MRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRFX600GSR5 | NXP | Description: NXP - MRFX600GSR5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRFX600GSR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin NI-780GS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRFX600GSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-780GS-4L Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 26.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780GS-4L Voltage - Rated: 179 V Voltage - Test: 65 V Current - Test: 100 mA | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRFX600GSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780GS-4L Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 26.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780GS-4L Voltage - Rated: 179 V Voltage - Test: 65 V Current - Test: 100 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRFX600H-230MHZ | NXP USA Inc. | Description: MRFX600H REF BRD 230MHZ 600W Packaging: Bulk For Use With/Related Products: MRFX600H Frequency: 230MHz Type: Transistor Contents: Board(s) Utilized IC / Part: MRFX600H Supplied Contents: Board(s) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRFX600H-230MHZ | NXP Semiconductors | Sub-GHz Development Tools MRFX600H 230 MHz Reference Circuit | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRFX600H-88MHZ | NXP USA Inc. | Description: MRFX600H REF BRD 108MHZ 680W Packaging: Bulk For Use With/Related Products: MRFX600H Frequency: 87.5MHz ~ 108MHz Type: Transistor Contents: Board(s) Utilized IC / Part: MRFX600H Supplied Contents: Board(s) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRFX600H-88MHZ | NXP Semiconductors | Sub-GHz Development Tools MRFX600H 87.5-108 MHz Reference Circuit | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRFX600HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin NI-780 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRFX600HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin NI-780 T/R | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRFX600HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-780-4 Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 26.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Voltage - Rated: 179 V Voltage - Test: 65 V Current - Test: 100 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRFX600HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin NI-780 T/R | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRFX600HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780-4 Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 26.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Voltage - Rated: 179 V Voltage - Test: 65 V Current - Test: 100 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRFX600HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRFX600HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S-4L Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 26.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-4L Voltage - Rated: 179 V Voltage - Test: 65 V Current - Test: 100 mA | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| MRFX600HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MRFX600HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-780S-4L Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 26.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-4L Voltage - Rated: 179 V Voltage - Test: 65 V Current - Test: 100 mA | на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|