MRFX600GSR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780
Current Rating (Amps): 10µA
Package / Case: NI-780GS-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 65 V
Voltage - Rated: 179 V
Supplier Device Package: NI-780GS-4L
Technology: LDMOS
Gain: 26.4dB
Power - Output: 600W
Configuration: Dual
Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz
Mounting Type: Chassis Mount
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 12555.33 грн |
| 10+ | 10267.66 грн |
| 25+ | 9812.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MRFX600GSR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780, Current - Test: 100 mA, Voltage - Test: 65 V, Voltage - Rated: 179 V, Supplier Device Package: NI-780GS-4L, Technology: LDMOS (Dual), Gain: 26.4dB, Power - Output: 600W, Configuration: 2 N-Channel, Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz, Mounting Type: Surface Mount, Current Rating (Amps): 10µA, Package / Case: NI-780GS-4L, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції MRFX600GSR5 за ціною від 10160.38 грн до 15427.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MRFX600GSR5 | NXP Semiconductors |
Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin NI-780GS T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| MRFX600GSR5 | NXP Semiconductors |
Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780 Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 65 V Voltage - Rated: 179 V Supplier Device Package: NI-780GS-4L Technology: LDMOS (Dual) Gain: 26.4dB Power - Output: 600W Configuration: 2 N-Channel Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz Mounting Type: Surface Mount Current Rating (Amps): 10µA Package / Case: NI-780GS-4L Packaging: Bulk |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| MRFX600GSR5 | NXP |
Description: NXP - MRFX600GSR5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| MRFX600GSR5 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin NI-780GS T/R
Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin NI-780GS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 15427.99 грн |
| 25+ | 15119.78 грн |
| 100+ | 14502.43 грн |
| MRFX600GSR5 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 65 V
Voltage - Rated: 179 V
Supplier Device Package: NI-780GS-4L
Technology: LDMOS (Dual)
Gain: 26.4dB
Power - Output: 600W
Configuration: 2 N-Channel
Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 10µA
Package / Case: NI-780GS-4L
Packaging: Bulk
Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780
Current - Test: 100 mA
Voltage - Test: 65 V
Voltage - Rated: 179 V
Supplier Device Package: NI-780GS-4L
Technology: LDMOS (Dual)
Gain: 26.4dB
Power - Output: 600W
Configuration: 2 N-Channel
Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 10µA
Package / Case: NI-780GS-4L
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 10160.38 грн |
| MRFX600GSR5 |
|
Виробник: NXP
Description: NXP - MRFX600GSR5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NXP - MRFX600GSR5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)