MRFX600GSR5

MRFX600GSR5 NXP USA Inc.


MRFX600H.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-780GS-4L
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 26.4dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780GS-4L
Voltage - Rated: 179 V
Voltage - Test: 65 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 48 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12601.94 грн
10+10305.77 грн
25+9849.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MRFX600GSR5 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780, Packaging: Bulk, Package / Case: NI-780GS-4L, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz, Configuration: 2 N-Channel, Power - Output: 600W, Gain: 26.4dB, Technology: LDMOS (Dual), Supplier Device Package: NI-780GS-4L, Voltage - Rated: 179 V, Voltage - Test: 65 V, Current - Test: 100 mA.

Інші пропозиції MRFX600GSR5 за ціною від 10198.09 грн до 16661.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MRFX600GSR5 MRFX600GSR5 Виробник : NXP Semiconductors mrfx600h.pdf Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin NI-780GS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+13306.64 грн
25+13040.81 грн
100+12508.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MRFX600GSR5 Виробник : NXP Semiconductors MRFX600H.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-780GS-4L
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz
Configuration: 2 N-Channel
Power - Output: 600W
Gain: 26.4dB
Technology: LDMOS (Dual)
Supplier Device Package: NI-780GS-4L
Voltage - Rated: 179 V
Voltage - Test: 65 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+10198.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MRFX600GSR5 Виробник : NXP MRFX600H.pdf Description: NXP - MRFX600GSR5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+16661.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MRFX600GSR5 MRFX600GSR5 Виробник : NXP USA Inc. MRFX600H.pdf Description: RF MOSFET LDMOS 65V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780GS-4L
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.8MHz ~ 400MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 600W
Gain: 26.4dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-780GS-4L
Voltage - Rated: 179 V
Voltage - Test: 65 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MRFX600GSR5 MRFX600GSR5 Виробник : NXP Semiconductors MRFX600H-1487426.pdf RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.