Продукція > BCX
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCX41 | CDIL | Tranzystor NPN; 63; 330mW; 125V; 800mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BCX41 TBCX41 cd кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX41 | Infineon | (NPN,125V,1A,0.33W,B>63,100MHZ,SOT-23) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX41 | YFW | Transistor NPN; 63; 330mW; 125V; 800mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: BCX41E6327HTSA1; BCX41E6433HTMA1; BCX41TA; BCX41; BCX41E6327; BCX41 SOT23(T/R) YFW TBCX41 YFW кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX41 E6327 | Infineon | NPN 800mA 125V 330mW 100MHz BCX41 smd TBCX41 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 254 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41 E6433 | INFINEON | SOT23/SOT323 | на замовлення 130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX41E6327 | Infineon | SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX41E6327 | Infineon Technologies | Транзистор NPN, Ptot,Вт = 0.33, VCEO,В = 125, Ic = 800 мА, Тип монт. = smd, ft,МГц = 100, hFE = 40 @ 200 мА, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, VCEO(sat),В @ Ic, Ib = 0.9 @ 30 мА, 300 мА, Тэксп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 125V; 0.8A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 125V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 100MHz | на замовлення 255 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41E6327 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 25121
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uceo,V: 125 V Ucbo,V: 125 V Ic,A: 0,8 A h21: 40 Монтаж: SMD | у наявності: 942 шт
|
| ||||||||||||||||
| BCX41E6327/EKS | INFINEON | 05+ SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX41E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCX41E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 125V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 9993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 125V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX41E6327HTSA1 | Infineon | NPN 800mA 125V 330mW 100MHz BCX41 smd TBCX41 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 125V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX41E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCX41E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 125V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 9993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 125V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX41E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Транзистор NPN, Uceo, В = 125, Ic = 800 мА, ft, МГц = 100, hFE = 40, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,9 @ 30 мА, 300 мА, Р, Вт = 0,33, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 399 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicn AF/SWITCH TRANSISTOR | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41E6327HTSA1 BCX41 | Infineon | SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX41E6327XT | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicn AF/SWITCH TRANSISTOR | на замовлення 12099 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 125V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX41E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 125V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX41E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX41E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 125V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41QTA | DIODES/ZETEX | Transistor: NPN; bipolar; 125V; 0.8A; 350mW; SOT23 BCX41QTA TBCX41QTA Diodes кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41QTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 125V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 75µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V Power - Max: 330 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 508995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41QTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 125V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX41QTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 125V; 0.8A; 350mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 125V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Mounting: SMD Quantity in set/package: 1000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Pulsed collector current: 1A Application: automotive industry | на замовлення 370 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41QTA | Diodes | TRANS NPN 125V 0.8A SOT23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX41QTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 125V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 75µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V Power - Max: 330 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 507000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41QTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX41QTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 125V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 270000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41QTA EK. | DIODES/ZETEX | Transistor: NPN; bipolar; 125V; 0.8A; 350mW; SOT23 BCX41QTA TBCX41QTA Diodes кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 630 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 125V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 125V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX41TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BCX41TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 125V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX41TA | Diodes | SOT-23 Транзистори | на замовлення 1860 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 125V 0.8A SOT-23-3 Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100µA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 125V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX41TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 125V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 125V 0.8A SOT-23-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 100µA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX41TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BCX41TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 310mW euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125V Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 125V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 800mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX41TA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 125V; 0.8A; 330mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 125V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Current gain: 25...63 Mounting: SMD Quantity in set/package: 1000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX42 | CDIL | Transistor PNP; 63; 330mW; 125V; 800mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; BCX42-CDI; BCX42 TBCX42 cd кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX42 | YFW | Transistor PNP; 63; 330mW; -125V; -800mA; 150MHz; -55°C~150°C; INFINEON LTB:31-DEC-2023; Substitute: BCX42E6327HTSA1; BCX42E6433HTMA1; BCX42E6327; BCX42E6327HTSA1; SP000010900; BCX42 TBCX42 YFW кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 8500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX42 Код товару: 30579
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 Гранична частота fT, MHz: 150 MHz Напруга Uке, V: 125 V Напруга Uкб, V: 125 V Струм Iк, A: 0,8 A Коефіцієнт підсилення h21, max: 100 | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||||
| BCX42 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX42 | JSMicro Semiconductor | Transistor PNP; 63; 330mW; 125V; 800mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BCX42E6327HTSA1; BCX42E6433HTMA1; BCX42 JSMICRO TBCX42 JSM кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX42E-6874 | на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCX42E6327 Код товару: 122762
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 Гранична частота fT, MHz: 150 MHz Напруга Uке, V: 125 V Напруга Uкб, V: 125 V Струм Iк, A: 1 A | у наявності: 499 шт
|
| ||||||||||||||||
| BCX42E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 125V; 0.8A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 125V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 150MHz | на замовлення 903 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX42E6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX42E6327 BCX42 | Infineon | TRANS PNP 125V 0.8A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX42E6327HTSA1 | Infineon | PNP 800mA 125V 330mW 150MHz BCX42 smd TBCX42 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 4355 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX42E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 25 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 330 Übergangsfrequenz ft: 150 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 800 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX42E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 125V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 5162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX42E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicn AF/Switch TRANSISTOR | на замовлення 116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX42E6327HTSA1 | Infineon | PNP 800mA 125V 330mW 150MHz BCX42 smd TBCX42 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX42E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCX42E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 25 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 330 Übergangsfrequenz ft: 150 Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 125 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 800 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX42E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 125V 0.8A PG-SOT23 Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX42E6327HTSA1 | Infineon | PNP 800mA 125V 330mW 150MHz BCX42 smd TBCX42 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX42E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 125V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX42E6327HTSA1 | Infineon | TRANS PNP 125V 0.8A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX42E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 125V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX42E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX42E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 125V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX42E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 125V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX42E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 125V 0.8A PG-SOT23 Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 125 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX51 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX51 | Multicomp | Bipolar Trans PNP 45V 1A SOT-89 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX51 | REALCHIP | Tranzystor PNP; 250; 1,35W; 45V; 1A; 145MHz; -55°C ~ 150°C; BCX51 SOT89 RealChip TBCX51 REA кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX51 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX51 Код товару: 55919
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BCX51 | JGSEMI | Transistor PNP; 250; 1,3W, 45V; 1A; 50MHz, -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCX51,115; BCX51E6327HTSA1; BCX51H6327XTSA1; BCX51TA; BCX51-TP; BCX51 JGSEMI TBCX51 JGS кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX51 T/R | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 45V 1A 4-Pin (3+Tab) UPAK T/R | на замовлення 41929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX51 T/R | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 45V 1A 4-Pin (3+Tab) UPAK T/R | на замовлення 3160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX51,115 | NXP | Bipolar Trans PNP 45V 1A SOT-89 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX51,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 1A Power dissipation: 1.35W Case: SC62; SOT89 Current gain: 63...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX51,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCX51,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX51 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX51,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.3 W Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX51,115 Код товару: 200014
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BCX51,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX51,115 | NXP | Transistor PNP; 250; 1,35W; 45V; 1A; 145MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BCX51E6327HTSA1; BCX51H6327XTSA1; BCX51TA; BCX51,115; BCX51,115 TBCX51 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 490 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX51,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCX51,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX51 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX51,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCX51/SOT89/MPT3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX51,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCX51,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX51 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX51,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 1A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.3 W Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX51-10 | REALCHIP | Trans GP BJT PNP 45V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R BCX51-10 SOT89 RealChip TBCX5110 REA кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX51-10 | PHILIPS | SOT89-AC | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX51-10 | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BCX51-10 | LGE | PNP 1A 45V 1,3W 50MHz Podobny do : BCX51-10-LGE; BCX51-10 SOT89 LGE TBCX5110 LGE кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX51-10 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCX51-10 - BCX51 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX51-10 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 145MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX51-10 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 1A; 0.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 1A Power dissipation: 0.5W Case: SOT89 Current gain: 63...160 Mounting: SMD Frequency: 50MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCX51-10 | JGSEMI | Transistor PNP; 160; 1,3W, 45V; 1A; 50MHz, -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCX51-10,115; BCX5110TA; BCX51-10-TP; BCX51-10 JGSEMI TBCX5110 JGS кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX51-10 AC | LMSEMI | Transistor PNP; 160; 500mW, 45V; 1A; 50MHz, -55°C ~ 150°C; Equivalent: BCX51-10,115; BCX5110TA; BCX51-10-TP; BCX51-10 LMSEMI TBCX5110 LMS кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BCX51-10 T/R | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

